单晶CuAl系形状记忆合金制备研究.pdfVIP

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单晶CuAl系形状记忆合金制备研究.pdf

————特种合金——————————————带种铸造及有色合金 单晶Cu-AI系形状记忆合金制备研究 摘 要 B.cu基形状记忆合金由于弹性各向异性因子和晶粒尺寸过大,而影响了记忆性能和力学性能。课题即基于此 背景而设计单晶熔炼炉和单晶结晶器来炼制单晶Cu.m.Be和Cu.址.Ni来减轻晶界影响。 关键词:形状记忆合金;单晶;cu.A1.Be;cu.A1.Ni 目前形状记忆合金领域基本形成了Ni.Ti基、cu基 和Fe基三足鼎立的态势¨t2J。在已发现的形状记忆合 金中,Cu基合金所占比例大,比较而言,Cu基合金相变量的晶体所释放出的结晶热J/kg。 滞后较小,形状记忆性能优良,可调节的动作温度范围 由上式可以看出,温度梯度△G越大,生长速度也 大,导电、导热性能好,制备工艺简单,而价格只有Ni-Ti就越大。从经济省时的角度出发,当然越大越好,但是 合金的十分之一,因而颇受重视。对cu基合金的研究 也始终是记忆合金领域的一大热点和焦点…。但在实 为下降法生长晶体,理想的轴向温度分布满足以下几点 用过程中,发现其材料特性的各向异性,而使多晶材料 要求[7]:①高温区的温度应高于熔体的熔点,但不要太 存在着延性差、易发生晶界破坏以及疲劳寿命短等问 高,以避免熔体的剧烈挥发。②低温区的温度应低于晶 题,冷加工性能很差,疲劳强度也极低H曲J。本课题即 体的熔点,但不要太低,以避免晶体炸裂。③熔体结晶 基于此问题,而设计一台单晶定向凝固炉熔炼cu-Al—Be 应在高温区和低温区之间温度大的那段区间内进行。 和Cu-A1一Ni克服晶界影响改善力学性能和记忆性能。④高温区和低温区内都要求有不大的温度梯度,这样既 避免了在熔体上部结晶又避免了在低温区内会产较大 1 单晶定向凝固炉 的内应力。 1.1装置设计基本原理 1.2装置的结构组成及技术特点 单晶熔炼炉示意图见图1,装置有7大块组成:加 根据从熔体中制备单晶Bridaman—stockbarger 法o7,8I,并在此原理基础上稍加改进,设计一台单晶定 热器、冷却系统、牵引传动下降装置、选晶结晶器、通气 向凝固炉。其原理是在将原料放人具有特定形状的坩 保护装置、温度控制和测量系统。 埚(带有选晶器)里,加热使之熔化。通过下降装置,使 1.2.1加热器 坩埚在具有一定的温度梯度结晶炉内缓慢下降,经过温 为了提供合适的温度场,单晶定向凝固炉通常采用上 度梯度区域时,熔体便会在坩埚内自下而上地结晶为整 下两部分组成,上腔为熔化区,原料在熔化区中充分熔化; 块晶体。该技术的关键是如何得到单晶晶种,并保证在 下腔为温度梯度热端区,与下方水冷区构成一单向温度梯 生长过程中避免形成新的结晶核心。 度场,上下腔采用分别的温度控制系统。由于试验所用的 采用熔体法生长单晶时,结晶过程是靠温度梯度造 成的局部过冷来推动的,温度梯度的大小直接影响着晶 系合金熔炼所要达到的温度在1110℃左右,选择了铁铬 体的生长速度和晶体的质量。所以在设计单晶熔炼炉 时,首先要考虑的是能不能达到预定的温度梯度。 使用的最高温度为1200℃。在拉单晶的过程中,炉膛温 采用单晶进行晶体生长的情况是很复杂的,所以只 度控制在l130℃。单晶在生长的过程中绝对不允许在 能在简化模型的基础上加以讨论。如果把晶体的生长 固一液界面前沿熔液中出现结晶核心因此,固液界面前沿的 速度简单地看成是热量在一维空间的传导问题,则可以 熔体应始终处于过热状态。固液界面前沿的熔体出于过 用热传导连续方程来表示它。经过推导,可以得到哺]: 热状态,结晶过程的潜热只能通过生长着的晶体导出。为

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