厚膜工艺制作纳米碳管场发射显示器CNTFED的几种三极管型结构的研究.pdfVIP

厚膜工艺制作纳米碳管场发射显示器 (CNT—FED)的几种三极管型结构的研究 of for SeveralTriode CarbonNanotube Investigation Types FieldEmission screen Displayby printingtechnique 刘红君谢晓 L／u Xiex／ao Hongiun 上海广电电子股份有限公司平板显示技术研究开发中心 200081 FPD．TECH．RD ELECTRON Centre，SVA 1，China CO．，LTD，Shanghai，20008 摘要：文中描述了用丝网印刷的方法刺作正栅极、背栅极l和侧栅极三极管型嫡米碳管场发射显示器件，介 绍了它们的制作工艺、所需材料要求。并建立模型进行ANSYS电场分布模拟，并对以上结构进行了比较分析。 关犍词：丝网印刷 纳米碳管 场发射显示器ANSYS模拟2 Abstract：Fabricationofthree cathode 1and structures)by gated structures(normM-gate，under-gateplanar—gate andmaterial 8弛intm- screen foruseinCNT-FEDhasbeendescribed．Fabrication printing procedures requirements distributionofelectricfieldissimulatedANSYSsoftware andconsofthese dueod，and by tllro．Shmodeling．Thepros threetriode been and have types comparedanMy∞d． CarbonnanotubeFieldemission ANSYSsoftware Keywords：Screenprinting display 一、引 西 作为场发射源，j碳纳米管有其独特的优点，例如直径小、长径比大，电子能带结构特殊、波失被限 定于轴向，量子效应明显，发射阈值低、发射电流密度大、稳定性高等。现在，国内外都在积极研究纳 米碳管场发射显示器件，有很多单位已经制作出了样品，例如三星电子、伊势电子4等，但CNT的电子 发射点密度、均匀度和结构栅控等问题还没有很好地解 决，有待我们继续研究。 在众多工艺中，厚膜印刷法工艺简单，对设备要求低， 省材省时，被多数人采用，但是对于高精度工艺，印刷法就 漏出了弊端。在本文中，采用一种感光浆料来避免仅用印刷 法造成的低精度问题。 二、结构介绍 三极管结构一般分正栅极、背栅极和侧栅极结构，正栅 极结构的应用比较普遍，但工艺难度较上述所说的后两种 工艺大，这里介绍的正栅极结构如图1所示： 首先在玻璃基板上印刷阴极底电极(行电极)，然后印 圈1芷栅极结构 刷绝缘浆料，绝缘层为网孔状结构，在有像素的位置开孔，