第七章金属和半导体的接触解说.ppt

* * * * * * * * * * * 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 电子工程系EE 半导体物理第七章 金属和半导体的接触 1 金属半导体的接触及其能级图 * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 一、功函数 金属的功函数Wm 金属的功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。 E0 (EF)m Wm E0为真空中电子的能量，又称为真空能级。 * 半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体的功函数。 χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 * 式中： N型半导体 P型半导体： 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 Ec EF Ev E0 χ WSP EP Eg * 二、金属与半导体的接触及接触电势差 1. 阻挡层接触 设想有一块金属和一块N型半导体，并假定金属的功函数大于半导体的功函数，即： 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 接触前： E0 x Ws EFs Ec En Wm EFm Ev * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 半导体中的电子\ 半导体电势提高！ q（Vs’-Vm）=Wm-Ws 金属 — + Vms称为金属与半导体接触电势差。 接触后： E0 x Ws EFs Ec En Wm EFm Ev Vms * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 忽略间隙中的电势差时的极限情形 半导体一边的势垒高度为： Vs为半导体的表面势0(表面电势减内部电势) 金属一边的势垒高度为： Ec EF En qVd Ev * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 金属与N型半导体接触时，若WmWs，半导体表面形成表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度比体内小得多，是一个高阻区域，称为阻挡层。界面处的势垒通常称为肖特基势垒。 Ec EF En qVd Ev * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 2. 反阻挡层接触 若WmWs，金属与N型半导体接触时，电子将 从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空 间电荷区，电场方向由表面指向体内，Vs0， 能带向下弯曲。这里电子浓度比体内大得多， 因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层。 Ec EF Ws-Wm Ev x-Wm * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 金属与P型半导体接触时，若WmWs，形成空穴的表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离受主形成，空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成P型阻挡层。 金属与P型半导体接触时，若WmWs，能带向 上弯曲，形成P型反阻挡层。 上述金半接触模型即为Schottky 模型。 N型 P型 WmWs 阻挡层 反阻挡层 WmWs 反阻挡层 阻挡层 * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 少数载流子的注入和欧姆接触 小结 金属半导体接触整流理论 1、阻挡层的整流特性——外加电压对阻挡层的作用 * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 欧姆接触 小结 金属半导体接触整流理论 * 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 欧姆接触 小结 金属半导体接触整流理论 * 肖特基势垒二极管 总结： 金属和低掺杂的半导体形成的接触具有整流特性。在不考虑表面态时称为肖特基接触或肖特基模型，形成的势垒称为肖特基势垒。 肖特基势垒的整流特性采用了扩散理论和热电子发射理论，后者适用于载流子迁移率大的材料，如硅、锗、砷化镓等，而前者适用于迁移率小的材料，例如碳化硅、锑化锌等材料。 肖特基势垒二极管： 利用金属--半导体整流接触特性制成的二极管。 特点：肖特基二极管是一种多数载流子器件，即形成电流的载流子主要是多数载流子。故比pn结二极管有更好的高频特性。 对于同样的电流，有较低的正向导通电压，~0.3V。 金属半导体接触及其能级图 金属半导体接触整流理论 欧姆接触 小结 * 欧姆接触：金属与半导体接触时形成的非整流接触 不产生明显的附加阻