影像电子学第四章半导体器件4.1-4.2题库.ppt

⑵反向击穿电压：在施加反向电压的情况下使变容二极管击穿的电压。击穿电压决定了器件的最高反向工作电压和最小电容容量值。 ⑶结电容：指在一特定反向偏压下，变容二极管内部PN结的电容。 ⑷结电容变化范围：指反向电压从零伏变化到某一值时，结电容变化的范围。 ⑸品质因数(Q值)：电容储存的能量与损耗的能量之比值为该电容器的品质因数Q 。 变容而后跟具有内部电容，同样具有一定的Q值。并且大多数变容二极管具有很高的Q值。由于变容管的电容量与反偏压成反向变化，Q值就随着反向偏置电压的增加二增加。 3、光电二极管 原理：利用自由电子和空穴复合时能产生光的半导体制成，采用不同的材料，可分别得到红、黄、绿、橙色光和红外光。常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等。制作材料决定光的颜色（光谱的波长)。 特点：通以正向电流发光，光亮度随着电流的增大而增强，工作电流为几个毫安到几十毫安，典型工作电流为10mA左右。正向导通电压较大。 4、变容二极管 变容二极管使利用PN结空间电荷具有电容特性的原理制成的特殊二极管。变容二极管为反偏二极管，其结电容就是耗尽层的电容，一次可以近似把耗尽层看作为平行板电容，且导电板之间有介质。一般的二极管多数情况下，其结电容很小，不能有效利用。变容二极管的结构特殊，它具有相当大的内部电容量，结电容随外加电压变化而显著改变，并可像电容器一样地运用于电子电路中。 主要参数： ⑴最高反向电压：指在变容二极管两端的反向电压不能超过的允许值; * 第四章 半导体器件 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质；如锗、硅、硒、砷化镓等，是构成电子电路的基本元件 导体 绝缘体 半导体 很容易传导电流的物质；如金属铜、铝等 不容易传导电流的物质；如陶瓷、橡皮等 第一节 半导体基础知识 物质的导电特性取决于原子结构。导体一般为低价元素，如铜、铁、铝等金属, 其最外层电子受原子核的束缚力很小，因而极易挣脱原子核的束缚成为自由电子。因此在外电场作用下，这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流, 呈现出较好的导电特性。高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶, 塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强，极不易摆脱原子核的束缚成为自由电子，所以其导电性极差，可作为绝缘材料。而半导体材料最外层电子既不像导体那样极易摆脱原子核的束缚，成为自由电子，也不像绝缘体那样被原子核束缚得那么紧，因此，半导体的导电特性介于二者之间。 它的一个重要应用就是利用它的整流效应作为检波器， 计算机 半导体器件的应用： 广泛 中国科学院半导体研究所 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。 当外界温度发生改变时，半导体的导电能力明显变化，导电能力对温度很敏感，具有热敏性； 当外界光照发生变化时，半导体的导电能力改变明显，导电能力对光照很敏感，具有光敏性 ； 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变，具有参杂特性 。 一、本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体，如高度提纯的硅、锗。 1.内部结构 图 1 硅或锗简化原子结构模型 图 2 本征半导体共价键晶体结构示意图 图 2 本征半导体共价键晶体结构示意图 空穴 自由电子 2.热运动－－形成自由电子和空穴对 电子和空穴成对出现， 从而形成自由电子－空穴对。 自由电子带负电，空穴带正电空穴把邻近的价电子吸引过来，填补这个空穴（电子的运动），同时，在失去价电子的原子共价键中出现一个新的空穴（空穴的运动）。 电子的运动 空穴的运动 电子电流 空穴电流 载流子 载流子 载流子电性相反，运动方向相反，因而形成的电流方向相同，总电流为两者之和。 本征半导体中电子－空穴对不断产生，而自由电子又不断填补空穴（称复合）。在一定温度下，载流子的这种产生和复合达到动态平衡，载流子的数目维持一定；当温度升高（或受光照），电子－空穴对数目增多，导电能力增强。－－光敏器件 二、掺杂半导体 本征半导体的导电能力弱，在本征半导体中掺入微量的三价元素或五价元素等杂质原子，就会使其导电能力大大增强。根据掺入的杂质不同，掺杂半导体可分为两种类型： 1. N型半导体 2. P型半导体 在本征半导体中参入5价原子 在本征半导体中参入3价原子 1. N型半导体 在纯净的单晶硅中掺入微量的五价元素（如磷等），磷原子占据了某些硅原子的位置，与周围 硅原子形成共价键时多出一个电子。 这个键外电子很容易挣脱磷原子的束缚，形成自由电子，故掺杂半导体的导电能力急剧增大。 该种半导体的导电能力主要靠电子，称之为电子导电型（N型）半导体。其中多子为电子，少子为空穴。 图 4 N型半导体共价键结构