半导体中的杂质和缺陷素材.pptVIP

等电子杂质（如N）占据本征原子位置 （如GaP中的P位置）后，即 N NP N 的共价半径为 0.07nm，电负性为3.0; P 的共价半径为 0.11nm，电负性为2.1 所以氮取代磷后能俘获电子成为负电中心，它们可以吸引一个导带电子而变成负离子，这就是电子陷阱，相反如果成为正电中心即可吸引一个价带空穴而变成正离子这就是空穴陷阱。 （4）四族元素，两性杂质 举例：GaAs 中 掺 Si（Ⅳ族） Ga：Ⅲ族 As：Ⅴ族 Si Ga 受主 SiAs 施主 两性杂质 两性杂质：在化合物半导体中，某种杂质在 其中既可以作施主又可以作受 主，这 种杂质称为两性杂质。 （5）六族元素，常取代五族元素，施主杂质 （6）过渡族元素除钒产生施主能级，其余均产生受主能级 §2.2 缺 陷 能 级 1、 点 缺 陷： 空位 间隙原子 弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷 （1）Si中的点缺陷： 空位 受主作用 间隙原子 施主作用 （2）化合物 砷化镓中的砷空位和镓空位均表现出受主作用 二六族化合物，离子型较强，正离子空位是受主，负离子空位是施主，正离子间隙原子为施主，负离子间隙原子为受主。 反结构缺陷 2 线缺陷 位错存在不饱和键，可以俘获电子成为负电中心，起受主作用，也可以失去不成价的电子，成为正电中心，起施主作用。位错既可能成为施主，也可成为受主。 第二章半导体中杂质和缺陷能级 杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素 缺陷: 晶格中的原子周期性排列被破坏 a. 点缺陷：空位、间隙原子 b. 线缺陷：位错 c. 面缺陷：层错 杂质和缺陷对半导体的物理性能和化学性能会产生决定性的影响。 杂质和缺陷出现在半导体中时， 产生的附加势场使严格的周期 性势场遭到破坏。 杂质能级位于禁带之中 Ec Ev 杂质能级 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子的间隙位置 间隙式杂质原子一般比较小 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子位于晶格点处 替位式杂质 原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近,价电子壳层结构相近。 §2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数 施主杂质：能够施放电子而产生导电电子并形成 正电中心 施主杂质和施主能级： 受主杂质和受主能级：Si中掺硼B 受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴并形成 负电中心 5、杂质的补偿作用 杂质的补偿:既掺有施主又掺有受主 补偿半导体 （A） ND NA 时 n型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。 半导体是 n 型的 有效的施主浓度 ND*= ND - NA ED EA （B）NAND时 p型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首 先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互 “抵消”，剩余的束缚 空穴再电离到价带上。 半导体是 p 型的 有效的受主浓度 NA*= NA – ND EA ED （C） NA≌ND时 杂质的高度补偿 本征激发的导带电子 Ec ED EA Ev 本征激发的价带空穴 6、深能级杂质 （1）浅能级杂质 △ED《Eg △EA《Eg （2）深能级杂质 △E D≮Eg △EA≮Eg Ec Ec Ev Ev ED ED △ED △EA EA EA 深能级的特点： 施主能级离导带较远，受主能级离价带较远。 一种杂质可以引入若干能级，因为会产生多次电离，有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 杂质能级是与杂质原子的壳层结构、杂质原子的大小、杂质在晶格中的位置等等因素有关，目前没有完善的理论加以说明。 例1：Au（Ⅰ族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的状态： （1）Au+； （2） Au0 ； （3） Au一 ； （4） Au二 ； （5） Au三。 （1）Au+： Au0 – e Au+