第三章 半导体中载流子的统计分布 布置作业解答.docVIP

第三章作业题解答 计算能量在到之间单位体积的量子态数。 解：导带底附近每单位能量间隔内的量子态数为： 则在导带底附近能量间隔之间的量子态数为。 在导带底附近能量间隔之间的单位体积的量子态数为。 故能量在到之间单位体积的量子态数为： 2、试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为 (没有布置这一题) 证明：Si、Ge在导带底附近的等能面为沿主轴方向的旋转椭球面，设其极值为,则关系为： 与椭球的标准方程： 比较得：， 空间等能面（旋转椭球）的三个半径，故椭球体积为： 对应能量为范围内两椭球壳之间体积为： 即 设晶体体积为，则其量子态密度为（考虑自旋），故在能量空间体积内的量子态数为： 因为导带极值在空间有S个，所以状态密度为： 又 所以 当为时，分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。 解：费米分布函数为： ％P69 (3-10)式 玻尔兹曼分布函数为： ％P71 (3-13)式上面 将＝分别代入得： ＝18％，1.8％，0 22％，1.8％，0 5、利用表3-2中的数值，计算Si、Ge、GaAs在室温下的及本征载流子浓度。（没有布置这一题） 解：从表3-2中查得： ：Si、Ge、GaAs分别为1.08，0.56，0.068 ：Si、Ge、GaAs分别为0.59，0.37，0.47 ：Si、Ge、GaAs分别为1.12eV，0.67eV，1.428eV 计算及本征载流子浓度的公式： ％P72 （3-18）式 ％P73 (3-23)式 %P75 (3-33)式 将Si、Ge、GaAs的值、、值、分别代入得： ：对Si、Ge、GaAs分别为 ：对Si、Ge、GaAs分别为 ：对Si、Ge、GaAs分别为 7（1）在室温下，Ge的有效状态密度，试求Ge的载流子有效质量。计算77K时的。已知300K时，。77K时。求这两个温度时Ge的本征载流子浓度。 解：（1）由公式 ％P74 (3-18)式 ％P74 （3-23）式 将、、、的数值代入可解得： ， （2）将、和T=77K代入、公式得： （3）本征载流子浓度公式： %P76 (3-31)式 将、、、、T代入得： ， 13、有一掺磷的n型硅，，分别计算温度为（1）300K;(2)500K（3）800K时导带中电子浓度（本征激发载流子浓度数值查图3-7）。 解：n型Si中电子浓度与温度的关系如图所示： （1）300K时，n型Si处于过渡区，杂质全部电离。且 ，说明该n型Si是非简并半导体，且本征激发可忽略。 所以导带电子浓度： （2）500K时，n型Si中杂质已全部电离，且本征激发已经开始起作用（不能忽略）。此时，电中性方程为： 又,则可解得： （3）800K时，n型Si处于本征激发区，杂质全部电离，本征激发开始起主要作用。此时，电中性方程为： （I） 又有 (II) ,则联立（I）（II）可解得： 17、施主浓度为的n型Si,计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。 解：由P77图3-7可查得：T=400K时，本征载流子浓度 n型Si处于过渡区，杂质全部电离，且，说明该n型Si是非简并半导体，且本征激发不可忽略。电中性方程为： (I) 又有 (II) 数值可解得： 过渡区，费米能级公式： 即费米能级在禁带中线上面0.023eV处。 18、掺磷的n型Si，已知磷的电离能为，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和磷的浓度。 解：杂质一半电离时，即电子占据施主杂质能级（未电离）的概率： 即： %P78 (3-35)式 (*) 又 代入（*）式得： 即费米能级在导带底下面0.062eV处。 【求磷的浓度】因为,所以该掺P的n型Si是非简并半导体。室温下，当杂质电离一半时，本征激发还未开始（可忽略），电中性方程为 (I) 又 (II) %P74 (3-19)式 联立（I）(II)得： （III） 查表3-2得，，代入（III）式得： 16、掺有浓度为砷