高性能压振概要.docx

高性能压控振荡器（VCO）采用65nm VLSI技术摘要CMOS”指的是数字电路设计中的一个特定的风格，用于实现在集成电路（芯片），CMOS超大规模集成电路的电路消耗更少的功率的静态时，比具有相同功能的其它实现更致密该电路中的家庭作为这一优势发展壮大，变得更加重要，CMOS工艺和VLSI变种来主宰，让绝大多数的现代集成电路制造的是超大规模集成电路技术的过程。在现代通信的关键电路中使用的电压控制振荡器VCO的输出是由VCO WRT需要使用这些电路，低功耗，小尺寸和低制造成本的数字电话的AC波形，其频率取决于输入电压。在当今无线通信系统中，大于最大频率是重要的设计因素。VCO的布局，是我们开发的高性能VCO。这的修改设计为65纳米的超大规模集成电路技术使用的最佳设计行业。在估计的设计，更是重点功耗，布局设计等等给出。这份报告是高性能VCO的简短研究65纳米VLSI技术来实现一些目标，如上面提到的。关键词：电压控制振荡器， 65nm， VLSI技术， Microwind 3.1， 高性能简介电子工业在过去的二十年里取得了显着的增长，主要是由于集成技术的迅速发展，大规模系统设计。总之，由于超大规模集成电路的出现[1]，大规模的集成应用程序的应用在高性能计算，电信和消费电子电路有稳步上升，并以非常快的速度。通常情况下，所要求的计算功率（或，换句话说，情报）这些应用之一是用于将驱动力这一领域的快速发展[2]。 一种新的MOS模型，称为BSIM4，已在2000年被引入[3]。简化这种模式的版本是由Microwind3.1的支持，并建议超深亚微米技术模拟。振荡器的作用是创建一个周期性逻辑或模拟具有稳定的和可预测的频率信号。振荡器需要产生的承载信号为射频传输，也为处理器的主时钟输出等于输入，和相位差等于所述周期（π/ 2）的四分之一到相位检测器原理。压控振荡器（VCO）产生一个时钟具有可控频率[4]。压控振荡器通常用于时钟产生在锁相环电路。时钟通常会有所不同可以通过其中心频率为+/-50％。该电流不补偿反相器链采用了电压控制VCONTROL来修改流过的电流在N1，P1分支如图4所示。通过N1处的电流由N2，N3和镜像N4。相同的电流流过P1。通过P1的当前由P2，P2和P4的镜像。因此，在VCONTROL变化诱导逆变器电流的全球变化，和直接作用，延迟。本文中所使用的软件Microwind3.1使我们能够设计和模拟在物理描述级集成电路。该软件包包含常见的逻辑库和模拟IC查看和模拟。它还包括一个面具编辑所有的命令，以及作为原始工具，从来没有一个单独的模块，如二维和三维视图的过程中前聚集，Verilog编译器，MOS器件教程。您可以获得或访问电路仿真按一个单键。自动执行你的电路的电气提取和模拟仿真器立即产生电压和电流曲线。技术概述和设计问题在技术概述和设计问题，首先环形振荡器的描述。然后简单的压控振荡器是采用CMOS晶体管.高性能振荡器是克服简单的压控振荡器的缺点。2.1环形振荡器振荡器的作用是创建具有稳定和可预见的周期性逻辑或模拟信号频率。振荡器需要产生射频面信号传输，还有处理器的主时钟[4]。环形振荡器是一个非常简单的振荡电路，根据切换延迟一个反相器的输入和输出之间存在如果我们连接逆变器的奇链，我们得到固有振荡，具有大致相当于几个的周期基本延迟。最快的振荡与3台逆变器获得（其中单逆变器连接到本身不振荡）通常的实现包含在一系列的5最多至一百链式变换器通常，链中的一个反相器被取代NAND门以使振荡。根据图1所示基于奇数环形振荡器逆变器的数量。 图1 基于奇数个反相器的环形振荡器这种类型的振荡器的主要问题是有很强的依赖性，几乎所有的过程参数和运行条件的输出频率都会对其产生影响。例如，电源电压VDD对振荡频率非常显著的影响。 环形振荡器的振荡频率是既不稳定，也无法控制，甚至没有精确地可测的，因为它是基于逻辑的开关特性，可以上下浮动+/- 20％。在Microwind中，临界值和迁移率参数与一个普通变量以10％的典型的变化。临界电压Vt对应于正态分布概率的密度方程。 F相对于Vt的变化曲线为图2所示 图2 Vt的正态分布与10％的典型变化2.2电压控制振荡器 压控振荡器（VCO）产生具有可控的时钟频率[5]。在图3中所示的压控振荡器通常用于时钟产生在锁相循环回路。时钟可以通过其中心频率为+/-50％通常会有所不同。该电流不补偿反相器链采用了电压控制VCONTROL来修改，在流过的电流N1，P1分支。通过N1处的电流由N2，N3和N4镜像。相同的电流流过在P1通过P1的当前由P2，P2和P4进行镜像。因此，在改变VCONTROL诱导的逆变器电流的全局变化，并直接作用于延迟。平时超过3逆