科学基础-4技术分析.ppt

弗兰克不全位错： 插入或抽去半层密排面形成弗兰克尔不全位错 4.4、面缺陷-晶体中的界面 晶 界 孪晶界 相 界 小角度晶界 大角度晶界 外表面 内表面 1. 小角度晶界 1) 类型 （1）对称倾侧晶界 相邻晶粒各转θ/2 同号刃位错平行排列 （2）不对称倾侧晶界 相互垂直的两组刃位错垂直排列 属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界(grain boundary) （3）扭转晶界 两组螺位错构成 2) 小角度晶界特点 θ10° 由位错构成 位错密度↑—— 位向差↑——晶格畸变↑——晶界能↑ 位错密度 —— 决定位向差与晶界能 位错类型与排列方式 —— 决定小角晶界的类型 注： 2. 大角度晶界 ——10°以上，一般在30°～40° 大角度晶界（high angle grain boundaries ）为原子呈不规则排列的一过渡层。大多数晶粒之间的晶界都属于大角度晶界。 3．晶界能 小角度晶界能量与 θ有关： γ= γ0θ(B－lnθ) ， 式中γ0 = Gb/4π(1－ν)，B为积分常数 大角度晶界能量与θ无关，基本上为一常数 晶界能：形成单位面时，系统的自由能变化，J/㎡。 表现形式：界面张力 晶界特点 1）晶界处点阵畸变大，存在晶界能。晶界——畸变——晶界能——向低能量状态转化——晶粒长大、晶界变直——晶界面积减小。 2） 阻碍位错运动—— σb↑ ——细晶强化。常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍运动，使塑型变形抗力提高，使晶体（材料）的硬度和强度提高。 3） 位错、空位等缺陷多——晶界扩散速度高。晶界处原子具有较高的动能，且晶界处存在大量缺陷。原子在晶界处扩散比晶内快得多。 4）固态相变时易在晶界处形成新核。晶界能量高、结构复杂——容易满足固态相变的条件——固态相变首先发生地。 5） 化学稳定性差——晶界容易受腐蚀。晶界腐蚀速度比晶内快。晶界上富集杂质原子多，熔点低，加热时容易过烧。 6） 微量元素、杂质富集。晶界具有不同与晶内的物理性质。 孪晶是指两个晶体(或一个晶体的两部分)沿一个公共晶面构成镜面对称的位向关系，这两个晶体就称为“孪晶(twin)”，此公共晶面就称孪晶面 。 两晶粒沿公共晶面形成镜面对称关系。 孪晶分类： ①共格孪晶面（coherent twin boundary）： ②非共格孪晶面(non-coherent twin boundary） 孪晶界 相邻两相之间的界面 相界 亚晶界： 每个晶粒有时又由若干个位向稍有差异的亚晶粒所组成，相邻亚晶粒间的界面称为亚晶界(sub-grain boundary)。 亚晶界属于小角度晶界，为各种亚结构的交界，大小和尺寸与热加工条件有关。 材料表面原子和内部原子处于不同环境，内部任一原子均被其他原子包围，处于力的平衡状态，而表面原子一侧与气相或液相接触，由于该侧原子对表面原子的作用力较小，因而表面原子处于力的不平衡状态，其能量状态较高，高出的这部分能量称为表面能。 表面及表面能 研究表明，材料的表面能明显大于晶界能，其值约为晶界能的三倍，即γS=3γG 材料的表面能与衡量原子结合力或者结合键能的弹性模量E有直接的联系，与原子间距b也有关，它们之间的关系可表示为： 表面吸附与晶界内吸附 1、表面吸附 吸附指外来原子或气体分子在界面上富集的现象。 由于吸附可抵消表面原子不平衡力场、降低表面能和系统能量状态，因而吸附是自发过程。 吸附过程是一个降低体系能量过程，故吸附反应是放热反应，放出的热量称为吸附热。 吸附程度随温度升高而降低，因温度升高导致原子或分子脱离晶体表面的过程称为解吸或脱附。 解吸是一个吸热过程。 吸附按作用力性质分为物理吸附和化学吸附两类。物理吸附是由范德瓦耳斯力作用下产生的吸附。 具有1）吸附无选择性；2）吸附程度与气体或其他原子的性质有关；3）吸附热小等特点。 化学吸附是由表面不饱和键力作用的结果 具有1）吸附具有选择性；2）吸附热大（与化学反应热接近）等特点。 同一固体表面往往物理和化学吸附同时存在，但在不同条件下，某种吸附可能占主导地位。 吸附在工业中有许多应用：1）净化和分离技术的主要机理之一，如废水处理、溶剂回收等。常用的吸附剂有活性炭、硅胶、活性氧化铝等。 2）化学反应中触媒剂作用机理等。 2、晶界内吸附 定义：金属材料内少量杂质或合金元素常偏聚于晶界，为与表面吸附区别，称这种现象为晶界内吸附。 机制：晶界内吸附是异类原子与晶界交互作用的结果，由于异类原子与基体原子间尺寸差，在晶界分布有利于降低系统的能量。原子间尺寸差异越大，与晶界的交互作用越强烈。 应用：钢中加入微量硼提高钢淬透性就是利用硼的晶界内吸附降低晶界能，抑制或减缓第二相从晶界形核和生长。 但在某些条件下，如杂质元素S、P在晶界的内吸