硅的制备及其晶体结构题库.pptVIP

天津工业大学 定位边研磨 天津工业大学 硅片的定位边 D200mm: 天津工业大学 硅片抛光和倒角 天津工业大学 硅片的CMP抛光 天津工业大学 §1.3 硅晶体结构特点 晶胞：最大限度反映晶体对称性的最小单元； 七大晶系，14种布喇菲点阵，对应14种晶胞； 天津工业大学 金刚石的晶体结构 天津工业大学 金刚石结构（Si、Ge、GaAs） 天津工业大学 原子密度及晶体内部空隙 原子密度 晶格常数a (Si=5.43?) 原子密度＝晶胞中包含原子个数/晶胞体积 晶体内部空隙 空间利用率＝晶胞包含原子个数*原子体积/晶胞总体积 天津工业大学 硅晶体中的原子密度和空隙 8个顶点原子；6个面心原子 4个体心原子 总原子个数＝1＋3＋4＝8 晶格常数为a (Si=5.43?) 硅晶体中的原子密度为：8/a3=5*1022/cm3 硅原子的半径 硅晶体中的空间利用率 天津工业大学 §1.4 晶体中的晶向和晶面 晶向：表示晶列的方向，从一个阵点O沿某个晶列到另一阵点P作位移矢量R，则 R=l1a+l2b+l3c；（l1:l2:l3 ＝m:n:p 化为互质整数） 晶向指数【mnp】： 晶向矢量在三晶轴上投影的互质指数 在立方晶体中，同类晶向记为mnp 100代表了[100]、[ī00]、[010]、 [0ī0]、[001]、[00ī]六个同类晶向； 111代表了立方晶胞所有空间对角线 的8个晶向； 110表示立方晶胞所有12个面对角线 的晶向。 天津工业大学 晶面及密勒指数 晶面：点阵中的所有阵点全部位于一系列相互平行、等距的平面上，这样的平面系称为晶面，一系列等效的晶面构成晶面族。 天津工业大学 晶面指数表示方式 晶面指数（hkl）：h、k、l 是晶面与三晶轴的截距 r、s、t的倒数的互质整数，也称为密勒指数，相应的等效晶面族用{hkl}表示。 ( r, s, t 为晶面在三个晶轴上的截长, h、k 、 l为晶面指标. ) x y z (553) a b c 晶面指数为（553） 天津工业大学 立方晶体中常用的晶向和晶面 100晶向 110晶向 111晶向 天津工业大学 面心立方结构（FCC）中的晶面 （632）晶面 天津工业大学 金刚石结构中的晶面 天津工业大学 常见晶面的面密度 天津工业大学 之前我们讨论的都是完美的晶体，具有完美的周期性排列。 但是由于晶格粒子本身的热振动、晶体生长过程中外界的影响、外界杂质的掺入、外部电、机械、磁场等应力的影响等等因素，使得晶格粒子的排列在一定范围内偏离完美的周期性。这种偏离晶格周期性的情况就称为缺陷（defect）。 缺陷是不能完全避免的，实际中理想的完美晶体也是不存在的，虽然在某些情况下，缺陷的存在会造成一些危害，然而某些缺陷在半导体应用中有着非常重要的作用。 §1.5 硅晶体中的缺陷 天津工业大学 缺陷的分类 点缺陷 线缺陷 位错 面缺陷 层错 体缺陷 杂质的沉积 自间隙原子、空位、肖特基缺陷、 弗伦克尔缺陷 外来原子缺陷（替位或间隙式） 天津工业大学 点缺陷——空位（Point defects – Vacancies） 空位即晶格中组成粒子的缺失，如果一个晶格正常位置上的原子跑到表面，在体内留下一个晶格空位，则称为肖特基（ Schottky ）缺陷。 空位 : 点缺陷（point defect) ——晶格中点的范围内产生 空位是可以在晶格中移动的 天津工业大学 空位（ Vacancies ） 空位的产生需要打破化学键，因而需要一定的能量，空位的数量随温度的增加而增加。 在不考虑杂质的情况下（即本征intrinsic 情况下），含有N个粒子的晶体，在温度为T时空位的平衡浓度为： EV 是空位产生能量， kB 是Boltzmann常数，常温下肖特基缺陷浓度约为1*1010cm-3 ——阿累尼乌斯公式 天津工业大学 间隙原子（Interstitials） 晶格中存在着大量的空隙，如果有原子偏离了自身的晶格位置进入间隙位置，则成为了间隙原子。 显然，间隙原子也是一种点缺陷，当间隙原子和晶格原子大小相当时，会引起很大的晶格破坏，因而需要很大的能量。如果间隙原子的体积比晶格原子小的多，则可以稳定存在。 天津工业大学 弗兰克尔缺陷（Frenkel Defects） 通常空位和间隙原子是