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Microelectronics Packaging Technology (Review contents) Chapter 1 Introduction The development characteristics and trends of microelectronics packaging. （微电子封装的发展特点和趋势） 特点： 微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵列发展； 微电子封装向表面安装式封装（SMP）发展，以适应表面安装技术（SMT）； 从陶瓷封装向塑料封装发展； 从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 发展趋势： 微电子封装具有的I/O引脚数目将更多； 微电子封装应具有更高的电性能和热性能； 微电子封装将更轻、更薄、更小； 微电子封装将更便于安装、使用和返修； 微电子封装可靠性将更高； 微电子封装性能价格比将会更高，成本更低，达到物美价廉。 The functions of microelectronics packaging. （微电子封装功能） 五种功能：电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑和环境保护 3. The levels of microelectronics packaging technology. （微电子封装技术的分级） ⑴芯片互连级（零级封装）： 包括：芯片粘接：Au-Si合金共熔法、Pb -Sn合金片焊接法、导电胶粘接法、有机树脂基粘接法； 芯片互连技术：引线键合（WB-Wire Bonding）、载带自动焊（TAB-Tape Automatic Bonging）、倒装焊（FCB-Flip Chip Bonding） ⑵一级微电子封装技术 包括：单芯片组件（SCM）、多芯片组件（MCM） ⑶二级微电子封装技术 包括：通孔安装技术（THT）、表面安装技术（SMT）、芯片直接安装技术（DCA） ⑷三级微电子封装技术：是一种立体组装技术 The methods for chip bonding. （芯片粘接的方法） 四种方法：Au-Si合金共熔法、Pb-Sn合金片焊接法、导电胶粘接法、有机树脂基粘接法。 Chapter 2 Chip Interconnection Technology It is one of the key chapters ！ The three kinds of chip interconnection, and their characteristics and applications.（芯片互连的分类及特点） 引线键合（WB-Wire Bonding）：将半导体芯片焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属布线焊区用金属细丝连接起来的工艺技术。主要有热压焊、超声焊、热压超声焊（金丝球焊） 特点：焊接灵活方便、焊点强度高、通常满足70微米以上芯片焊区尺寸和节距的焊接需要。焊接金属一般为Al或Au，金属丝多是数十微米至数百微米直径的Au丝Al丝和Si-Al丝。 载带自动焊（TAB-Tape Automatic Bonging）特点：包括芯片焊区凸点形成、载带引线制作、载带引线与凸点焊接（内引线焊接）、载带-芯片互连焊后的基板粘接和最后的载带引线与基板焊区的外引线焊接几部分。分为单层带、双层带、三层带、和双金属带。 倒装焊（FCB-Flip Chip Bonding）：芯片面朝下，将芯片焊区与基板焊区直接互连的技术。 2. The types of wire bonding (WB) technology, their characteristics and working principles. （引线键合的种类，特点、工作原理） 热压焊 压焊时芯片与焊头均要加热，容易使焊区和焊丝形成氧化层。同时，由于芯片加热温度高，压焊时间一长，容易损害芯片，也容易在高温下形成异质金属影响器件的可靠性和寿命。 超声焊 焊接强度高于热压焊，不需加热可在常温下进行，因此对芯片性能无损害，可根据不同的需要随时调节超声键合能量，改变键合条件。 金丝球焊 操作方便灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性，故可实现微机控制下的高速自动化焊接。 3. The working principle and main process of the wire ball bonding.（金丝球焊的原理及主要工艺过程） 工艺过程： 打火烧球（EFO负电子烧球）→一焊（热压超声球焊）→拉弧（焊头XYZ协调动作）→二焊（热压超声焊）→留尾丝→回打火位、送丝等，开始下一个循环。 工作原理： 将键合引线垂直插入毛细管劈刀的工具中，引线在电火花作用下受热成液体，由于表面张力作用而形成球