半导体封装工艺技术分析.ppt

Introduction of IC Assembly ProcessIC封装工艺简介 IC Process Flow IC Package （IC的封装形式） IC Package （IC的封装形式） IC Package （IC的封装形式） IC Package （IC的封装形式） IC Package （IC的封装形式） IC Package Structure（IC结构图） Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Typical Assembly Process Flow FOL– Front of Line前段工艺 FOL– Back Grinding背面减薄 FOL– Wafer Saw晶圆切割 FOL– Wafer Saw晶圆切割 FOL– 2nd Optical Inspection二光检查 FOL– Die Attach 芯片粘接 FOL– Die Attach 芯片粘接 FOL– Die Attach 芯片粘接 FOL– Epoxy Cure 银浆固化 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– 3rd Optical Inspection三光检查 EOL– End of Line后段工艺 EOL– Molding（注塑） EOL– Molding（注塑） EOL– Molding（注塑） EOL– Laser Mark（激光打字） EOL– Post Mold Cure（模后固化） EOL– De-flash（去溢料） EOL– Plating（电镀） EOL– Post Annealing Bake（电镀退火） EOL– TrimForm（切筋成型） EOL– TrimForm（切筋成型） EOL– Final Visual Inspection（第四道光检） 为了防止外部环境的冲击，利用EMC 把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程，并需要加热硬化。 Before Molding After Molding Molding Tool（模具） EMC（塑封料）为黑色块状，低温存储，使用前需先回温。其特 性为：在高温下先处于熔融状态，然后会逐渐硬化，最终成型。 Molding参数： Molding Temp：175~185°C；Clamp Pressure：3000~4000N；  Transfer Pressure：1000~1500Psi；Transfer Time：5~15s；  Cure Time：60~120s； Cavity L/F L/F Molding Cycle -L/F置于模具中，每个Die位于Cavity中，模具合模。 -块状EMC放入模具孔中 -高温下，EMC开始熔化，顺着轨道流向Cavity中 -从底部开始，逐渐覆盖芯片 -完全覆盖包裹完毕，成型固化 在产品（Package）的正面或者背面激光刻字。内容有：产品名称，生产日期，生产批次等； Before After 用于Molding后塑封料的固化，保护IC内部结构，消除内部应力。Cure Temp：175+/-5°C；Cure Time：8Hrs ESPEC Oven 4hrs Before After 目的：De-flash的目的在于去除Molding后在管体周围Lead之间 多余的溢料；方法：弱酸浸泡，高压水冲洗； Before Plating After Plating 利用金属和化学的方法，在Leadframe的表面 镀上一层镀层，以防止外界环境的影响（潮湿 和热）。并且使元器件在PCB板上容易焊接及 提高导电性。 电镀一般有两种类型： Pb-Free：无铅电镀，采用的是99.95%的高纯 度的锡（Tin），为目前普遍采用的技术，符合 Rohs的要求； Tin-Lead：铅锡合金。Tin占85%，Lead占 15%，由于不符合Rohs，目前基本被淘汰； 目的： 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间，目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长（Whisker Grow