14CH03-1二极管及其基本电路研讨.ppt

通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率 空穴的移动 注意： 1）空间电荷区的正负离子虽带电，但它们不能移动，不参与导电。因区域内的载流子极少，所以空间电荷区的电阻率很高。 2）内电场对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区--PN结又称为阻挡层或耗尽层。 (1) 最大整流电流IF 是指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 (3) 反向电流IR (4) 极间电容Cd（CB、 CD ） (5) 反向恢复时间TRR 由于二极管中PN结电容效应的存在，当二极管外加电压极性翻转时，其正、反向电流不能在瞬间完全按照单向导电性变化。特别时外加电压从正向偏置变成反向偏置时，二极管中电流由正向变成反向，但其翻转后瞬间有较大的反向电流，经过一定时间后反向电流才会变得很小。二极管由正向导通到反向截止时电流的变化图3.3.5所示。其中IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，TRR为反向恢复时间。 (5) 反向恢复时间TRR 存在反向恢复时间的主要原因是扩散电容的CD影响。 扩散电容越小，反向恢复时间越短，工作频率越高。 二极管由反向截止到正向导通则不存在积累载流子的消散过程。 美国半导体器件的型号命名方法 3-1-3 PN结正偏.swf 内电场 Ed PN 结变窄 多子扩散运动 少子漂移运动 PN 结导通 （ PN 结呈现 R ) 形成正向电流 I P区接正极 N区接负极 加正向电压 (1) PN结加正向电压时 3.2.3 PN结的单向导电性 当外加电压使PN结中P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 (2) PN结加反向电压时 高结电阻 很小的反向漂移电流 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 内外电场同向，耗尽层被加宽，阻止多子流动 PN 结变宽 多子扩散运动 少子漂移运动 PN 结截止 （PN 结呈现反向R ） 内电场 Ed 形成反向电流 I P区接负极 N区接正极 加反向电压 (2) PN结加反向电压时 3-1-4 PN结的反偏.swf 结论：PN结具有单向导电性。 呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； 呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 PN结加正向电压时 耗尽层电场与外施电场相反被削弱， PN结加反向电压时 耗尽层电场与外施电场相同被加宽 结论：外施电压能够调节耗尽层的宽度，-压控电阻。 3.2.3 PN结的单向导电性 (3) PN结V-I 特性表达式 其中 PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 用伏安特性法分析 k为波耳兹曼常数（1.38?10–23J/K） T为热力学温度，即绝对温度（单位为K，0K=-273?C） q为电子电荷（1.6?10–19C） 3.2.3 PN结的单向导电性 (3) PN结V-I 特性表达式 vD为正 当vD比VT大几倍时 远大于1 Vd为负 当Vd比Vt大几倍时 趋近于零 因此 id =-Is Id与Vd成指数关系 该公式能够正确表达二极管的伏安特性 3.2.3 PN结的单向导电性 (3) PN结V-I 特性表达式 从PN结电阻的角度分析伏安特性： 当PN结正偏时 外施电压上升，结电阻下降 =越过门槛电压后迅速上升 当PN结反偏时 =外施电压和结电阻同步上升，反偏电流恒定。 外施电压上升，结电阻也上升 3.2.4 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 PN结外施反向电压是有限度的 击穿有两类： 3.2.4 PN结的反向击穿 热击穿—— 当反向电流和反向电压的乘积超过PN结容许的耗散功率 使结上温升过热而烧毁 不可恢复 为提高耗散功率可以增加加散热装置 第4次课 3.2.4 PN结的反向击穿 雪崩击穿—— 结上反压增强，使少数载流子获得足够的动能，运动中与晶体原子发生碰撞，导致原来共价键上的粒子获得动能摆脱束缚，形成自由电子-空穴对，新生的自由电子再获得电场动能还会继续碰撞产生更多的自由电子-空穴对，持续效应如同雪崩。 电击穿——没有超过耗散功率时可恢复 3.2.4 PN结的反向击穿 齐纳击穿—— 杂质浓度大，空间电荷区窄，加到一定高反压时发生—— 齐纳二极管-稳压用 电击穿——没有超过耗散功率时可恢复 破坏共价键，产生电子空穴对—— 3.2.5 PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 扩