7.4数字逻辑电子系试卷.pptVIP

7.4　只读存储器（ROM） 7.4.1 固定ROM 7.4.2 可编程ROM（PROM） 7.4.3 可擦除可编程ROM（EPROM） 7.4.4 用ROM实现组合逻辑函数 7.4.5 EPROM集成片简介 Read Only Memory 存储矩阵 输出电路 7.4.1 固定ROM EN 1 1 1 1 D3 R Y3 Y2 Y1 Y0 W0 A0 A1 地址译码器 位线 W1 W2 W3 R R R EN D2 D1 D0 (a)电路图 图7-4-1 4×4位二极管固定ROM 字线 　　芯片在制造时就把需要存储的内容用电路结构固定下来，使用时无法再改变。 　　１．二极管固定ROM 　　字线和位线的交叉处代表一个存储单元，有二极管表示存1，否则表示存0。 1 1 0 0 D1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 D0 D2 D3 A1 A0 表7-4-1 4×4位ROM数据表 或阵列 与阵列 1 1 ≥1 ≥1 ≥1 ≥1 ● ● ● ● ● ● ● ● A1 A0 W0 W1 W2 W3 Y3 Y2 Y1 Y0 ● ● ● ● ● ● ● ● ? ? ? ? W0 Y0 R ( b ) 或门Y0 W1 W2 W3 ( c ) 地址译码器和存储矩阵的阵列图 图7-4-1 4×4位二极管固定ROM 　　固定ROM的阵列图由与阵列和或阵列组成。与阵列和地址译码器相对应，用实心点标注地址码；或阵列对应于存储矩阵，实心点表示接有二极管。 D3 Y3 Y2 Y1 Y0 W0 A0 A1 地 址 译 码 器 W1 W2 W3 D2 D1 D0 1 1 1 1 VDD 图7-4-2 4×4 NMOS管固定ROM 　　２．MOS管固定ROM 　　字线和位线的交叉处代表一个存储单元，有NMOS管表示存1，否则表示存0。 　　该ROM中所存储的数据，与图7-4-1中的二极管固定ROM是一致的。 7.4.2 可编程ROM（PROM） 　　PROM在出厂时，存储的内容为全1（或全0），用户可根据需要将某些单元改写为0（或1）。 VCC Ｗi T Yj AW DZ AR Dj 图7-4-3 双极型PROM存储　　单元和读/写放大器 读/写放大器(1路) 熔丝 　　特点：工作速度快，但只能进行一次性编程处理。 　　用户编程： 　　选择相应地址，使Ｗi＝1；在Dj端施加高电压正脉冲，使得AW输出为低电平，有较大的脉冲电流从VCC经三极管流过熔丝，并将熔丝熔断，从而使本单元信息改写为0。 7.4.3 可擦除可编程ROM（EPROM） 　　１．可擦除可编程ROM（EPROM） 　　EPROM的存储单元采用叠层栅注入MOS管。 图7-4-4 EPROM的一个存储单元 Ｗi Yj 位线 G S Ｄ Ｗi Yj × (a) EPROM叠层栅存储单元 (b) 阵列图符号 　　由于EPROM的存储单元是可擦除可编程的，为了区别于固定ROM，在EPROM阵列图的或阵列中，用“×”表示所存储的信息“1”。 　　用户编程（写0）：漏极和源极（接地）之间加高电压，控制栅极加高电压脉冲,形成雪崩效应。需专用工具（编程器）。 　　擦除：用擦洗器产生的强紫外线照射来完成擦除操作，耗时约几分钟。一般可擦写几百次。EPROM的擦除操作是针对整个芯片进行的，不能实现字擦除（只擦一个或一些字）功能。 　　EPROM封装出厂时，浮栅均无电荷，存储单元的信息为全１。 　　保存时间：在不受光线干扰的情况下，可保存10年。 3～4μm N+ N+ SiO2 P型硅衬底 S G D 控制栅(多晶硅) 浮　栅(多晶硅) 图7-4-5 叠层栅MOS管剖面示意图 　　EEPROM只需在高电压脉冲或工作电压下就可以进行擦除，不需要借助紫外线的照射，而且还具有字擦除功能，所以更加灵活、方便。 　　一般EEPROM集成片允许擦写100～10000次，擦写共需时间20ms左右，数据可保存5～10年。 图7-4-6 EEPROM存储单元 Ｗi Yj 字线 G1 S1 D1 位线 T1 T2 　　EEPROM的存储单元由门控管T2和叠层栅MOS管T1组成。其中T1称为浮栅隧道氧化层MOS管，在一定电压条件下，将产生隧道效应，以实现电擦除操作。 　　２．电可擦可编程ROM（EEPROM） SiO2 P S1 G1 D1 擦写栅(多晶硅) 浮　栅(多晶硅) 图7-4-7 EEPROM存储单元中的T1 N+ N+ SiO2极薄层 G1 D1 S1 0 +21V (a) 剖面示意图 (b) 浮栅俘获电子示意图 　　正常工作时擦写栅加+3V电压，浮栅积有电子电荷时，T1不能导通；浮栅无电子电荷时，T1导通。