（V1-xCrx的）2O3的制备与描述奈米粉体化学添加方法.doc

奈米粉體應用實務報告 南台科技大學　機械工程系　微奈米技術組　四奈米三甲 學 生：劉仁捷　（學號498149059） 邱宇晟　（學號498149025） 指導老師：李友竹 老師 題目：（V1-xCrx的）2O3的製與米粉體化學方法 繳交日期：101年5月21日(期刊的圖擷取封鎖有附期刊) 基本原理： （V1-xCrx的）2O3奈米粉體合成的粉末狀首次成功在多晶矽pyrolising摻鉻的前導，在氫氣體添加鉻1373?K.，單晶鉻的毒化學的發展表明，鉻（III）可能進入毒化學格或形成了毒化學解決方案中具有很好的電學和磁學性質的和三氧化二釩，是因為應用在許多領域，如溫度傳感器的調查，呈現出從低溫度金屬相到高溫順磁絕緣（PI）的階段過渡。(V1?xCrx)2O3具有比純三氧化二釩的更實際的應用。與鈦酸鋇相比，（V1-xCrx的）2O3系統已備受關注，因為它具有低室溫電阻率和更好的切換屬性，因此具有非常高的額定電流的承載能力和控制能力精確的溫度。這些問題解決了米晶陶瓷，（V1-xCrx的）2O3米粉體的製備是處理米晶陶瓷的關鍵一步。此外，（V1-xCrx的）2O3是一個有用的催化劑，（V1-xCrx的）2O3米粉末可提高催化性能。在我們以前的工作，我們報導純三氧化二釩米粉體的製備與球形顆粒和均勻分佈，前，氫氣流量下。毒化學很容易的，它是可能獲得鉻的毒化學它可以得相對溫和的條件下（V1-xCrx的）2O3米粉末，準備（V1-xCrx的）2O3米粉體，化學研究。在這份報告中，提出了在較低溫度（1373 K）鉻三氧化二釩米粉體的製備。製備單晶的鉻毒化學單晶鉻毒化學的發展，是在我們以前的工作的類似：氯化鎂+氯化鋁+碳酸氫銨→鉻一個VOCl2和CrCl3的混合溶液慢慢加入碳酸氫銨溶液與CO2氣氛下攪拌，然後放在溶液中充滿了幾天的二氧化碳氣體乾燥器。單晶鉻毒化學然後順序飽和碳酸氫銨和蒸餾水洗滌2次，最後在空氣中乾燥。多晶矽鉻毒化學（V1-xCrx的）2O3粉末的製備多晶矽鉻的前體的合成也有類似的報導，在文獻[11]。詳細過程是作為單一晶體的結晶上述描述幾乎一樣，不同的是，他的區別是，VOCl2溶液的濃度較高，且生長時間相對較低。多晶矽易制毒化學也洗飽和碳酸氫銨，蒸餾水兩次，幾次和乙醚，無水乙醇蒸餾水洗淨。（V1-xCrx的）2O3粉末獲得氫氣流量下煅燒3小時在1373?多晶矽鉻毒化學。產品特性一個單結晶易制毒化學樣品溶解在稀鹽酸溶液。. (V1?xCrx)2O3粉樣品中的硫酸和磷酸的混合溶液溶解。上述解決方案的鉻含量的測定電感耦合等離子體原子發射光譜（ICP-AES法）。上D/max-2200使用銅的K輻射（弇=0.154050?nm）的(V1?xCrx)2O3作為標準衍射儀，X射線衍射（XRD）。在真空條件下進行實驗，以避免氧化(V1?xCrx)2O3樣品。由Tecnai12＃透射電子顯微鏡（TEM）觀察粉體的形貌。 結果與討論化學單晶的易制毒化學，鉻（III）可能進入易制毒化學格子或固溶形成在單晶前化學摻雜的多晶矽易制毒化學結果發現，鉻（OH）3沉澱物可以形成發展單晶摻鉻的長期增長過程中易制毒化學VOCl2解決方案中的鉻/?V比較0.0400。為了避免多晶矽易制毒化學吸附的Cr（OH）3，圖1顯示了VOCl2解決方案中的鉻/?V比的影響比較在前驅體時，晶體的生長時間解決方案是1小時。前體的比例在VOCl2解決方案時，鉻/?V在VOCl2解決方案比0.0275低，鉻/?V的前體與鉻/?V比在VOCl2解決方案增加緩慢增加。這表明，量接近飽和鉻是更加困難，當鉻/?V的前體的比例比0.0119高。前體的鉻/ V比率明顯增加生長時間增加。與圖比較。?1，坡度曲線圖。?2多晶矽前驅體的生長時間增加。上述現象可以歸因於吸附的Cr（OH）3的易制毒化學因此，為了使物料均勻地分散在得到，應該是易制毒化學的最佳生長時間約1小時（見圖4（a）和5（a）項）。然而，在圖所示。?1和2，易制毒化學中的鉻/?V比可以精確控制調整VOCl2解決方案和生長時間VOCl2解決方案的易制毒化學鉻/視頻。XRD表徵（V1-xCrx的）2O3粉末室溫X射線衍射摻鉻三氧化二釩與不同成分樣品的模式如圖。?3。從圖得到的晶格參數。3使用通過：J.?Laugier和A.?Filhol（1978）編寫的程序ERACEL列於表1。還列出了S值，這是由程序計算θ的標準差觀察θ表1。從表1，它指出，細胞參數的增加和C摻雜三氧化二釩，鉻含量的增加而降低。這些結果與文獻[13]報導的一致。與純三氧化二釩，如圖所示。3（一），（V1-xCrx的）2O3（參見圖（30 0）3（B-D）的反映。）含有金屬相和絕緣相。此外，強度增加的PI相和PM相