高方阻与烧结匹配实验情况.pptxVIP

王俊其 高方阻与烧结匹配实验情况 W23 Just Used in Trina 引言： 太阳能电池片的浅结结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一；通常所说的浅结是指太阳能电池pn结结深小于0.3um；利用浅结可以显著的降低太阳能电池片表面的少数载流子复合速度，提高短波段的光谱响应。 在既定方阻的阻值和SI3N4膜厚情况下，怎样降低电池片的串联电阻，提高电池片的转换因子,提高开路电压和短路电流，是优化烧结炉各项参数的主要动力，通过L9实验我们找出其中一组，在进一步进行优化，从而确保电池片的各项参数最优化，进而达到提高效率的可能性。 2 3 目录 Just Used in Trina 1.影响电池片的相关参数； 2.扩散及其相关； 3.烧结及其相关； 4.高阻与烧结匹配； 1.影响电池片的相关参数 1）开路电压（Uoc）； 2）短路电流（Isc）； 3）填充因子（FF）； 4）串联电阻（Rs）； 5）并联电阻（Rsh）； Just Used in Trina 4 1.1影响Voc的因素 Io为饱和电流， Io ∝1/NsLn。 Ns：掺杂浓度。 Ln：扩散长度。 影响Voc的主要因素为饱和电流Io和温度T，而饱和电流与掺杂浓度和扩散长度都有关系。 掺杂浓度是由扩散工序决定，掺杂浓度越高Voc越大。 扩散长度与硅材料体质量、表面钝化、以及掺杂浓度有关，也就是说Voc还受到材料质量、PECVD镀膜质量、以及烧结质量影响。 温度越高Voc越小。 1.2影响Isc的因素 影响Isc的因素主要有： 电池面积：电池面积越大，Isc越大。 光强：光强越强，Isc越大。 光谱的响应：能吸收的光谱范围越广，激发的光生载流子越多，Isc越大。 广的吸收特性：广吸收的越大，激发的光生载流子越多，Isc越大。所以制绒的好坏和PECVD镀膜的好坏对电流的影响较大。 载流子的收集特性：载流子的收集特性与p－n结的质量、材料体质量、表面钝化好坏有关。所以，扩散的好坏会影响电流，材料扩散长度的大小、PECVD镀膜质量好坏和烧结质量的好坏都会影响Isc的大小。 1.3影响FF的因素 影响FF的主要因素是Rs和Rsh，Rs越小FF越大，Rsh越大，FF越大。 串联电阻对FF的影响 并联电阻对FF的影响 1.4影响Rs的因素 Rs主要有以下几个组成部分： P型基体电阻：主要与基体的掺杂浓度和基体厚度有关。 N型重掺层电阻：主要与扩散浓度有关，在太阳电池掺杂浓度范围内，扩散浓度越大，n型层电阻越小。 电极和硅片的接触电阻：接触电阻受n型层和p型层掺杂浓度影响较大，掺杂浓度越高，接触电阻越小。N型层的掺杂浓度受扩散影响，p型层的掺杂浓度除与基体掺杂浓度有关外，还与银铝浆的特性有关。另外，接触电阻受烧结的影响较大，烧结不好，前电极没能烧穿SiNx层，或者Ag－Si合金形成的不好都会影响接触电阻的大小。 电极的金属电阻：这与Ag浆、Al浆和AgAl浆的本来特性，以及烧结的质量有关。 1.5影响Rsh的因素 影响Rsh的因素主要有： 电池边缘漏电：这主要是刻蚀不够，或者是过刻导致。 p－n结漏电：扩散前，硅片如果表面有沾污，沾污的地方可能没扩散到，这中情况就能导致漏电。烧结温度过高，导致p－n结烧穿也会导致漏电。 复合影响：包括表面复合和体复合。 2.扩散及其相关 2.1扩散的概念； 2.2扩散机构； 2.3影响硅太阳电池扩散的因素； 2.4结深的影响； 2.5结深的对比 2.6高阻 Just Used in Trina 10 11 2.1扩散的概念 扩散(diffusion):由构成物质的微粒(离子、原子、分子)的热运动而产生的物质迁移现象称为扩散。扩散的宏观表现是物质的定向输送。 2.2扩散机构 替位式扩散机构 这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 填隙式扩散机构 这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式。 12 2.3影响硅太阳电池扩散的因素 13 片源（成分、结构等） 温度 时间 气体流量（浓度梯度） 洁净度 其他 　 反应温度↑ 反应时间↑ 气体流量↑ 淀积温度↑ 掺杂浓度 ↑ ↑ ↑ ↑ 结深 ↑ ↑ ↑ ↑ 2.4结深的影响 Just Used in Trina 14 1)浅结死层小，电池短波响应好；而浅结引起串联电阻增加，填充因子下降； 增加了工艺难度; 2)结深太深，死层比较明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降; 3)在一定范围内