3电气设备绝缘试验技术摘要.ppt

第一篇 高电压绝缘与试验 第三章 电气设备绝缘试验技术 主要内容 3-1 绝缘参数的测量 3-2 工频高电压试验 3-3 直流高电压试验 3-4 冲击高电压试验 3.1 绝缘参数的测量 3.1.1 绝缘电阻和吸收比的测量 3.1.2 介质损失角正切tgδ的测量 3.1.3 局部放电的测量 3.1.4 绝缘油的色谱分析 3.1.1 绝缘电阻和吸收比的测量 绝缘电阻 最基本的综合性特性参数。 吸收比 通过测量绝缘电阻可获得吸收比. 检验绝缘是否严重受潮或存在局部缺陷。 开关S合闸作为时间的起点，在的极短时间内，层间电压按下式分布。 达到稳态时（t→∞），层间电压按电阻分配 流过夹层电流： 吸收比是同一试品在两个不同时刻的绝缘电阻的比值，所以排除了绝缘结构和体积尺寸的影响。 注意：通常以K大于1.3作为设备绝缘状态良好的标准，但是还要结合电阻值的大小进行综合判断。如，有些变压器的K虽大于1.3，但R值却很低。所以应将R值和K值结合起来考虑，方能作出比较准确的判断。 大容量电气设备中，吸收现象延续很长时间，吸收比不能很好地反映绝缘的真实状态，用极化指数再判断。 测量绝缘电阻可有效地发现下列缺陷： 总体绝缘质量欠佳； 绝缘受潮； 两极间有贯穿性导电通道； 绝缘表面情况不良； 测量绝缘电阻不能发现下列缺陷： (1) 绝缘中的局部缺陷(如非贯穿性的局部损伤、含有气泡、分层脱开等)； (2) 绝缘老化(因为老化了的绝缘，其绝缘电阻还可能 是相当高的)。 兆欧表结构 电源部分：兆欧表内装有直流电源，一般为手摇发电机。要求手摇速度为60转/分,内部再把交变电压整流为直流电压输出; 当电流I1流过电压线圈1时，有力矩M1作用在线圈1上。同样，I2流过电流线圈2时有力矩M2作用在线圈2上。M1、M2分别为 其中 F1(α)、 F2(α)随指针转动角度而变与气隙中磁通密度分布有关。平衡时 故 或 由 指针偏角与绝缘电阻关系： 泄漏电流测量 将直流高压施加到被试品上，测量流经被试绝缘的泄漏电流。 测量泄漏电流本质上也是测量绝缘电阻。由于所加直流试验电压比测量绝缘电阻时高得多。因此更能有效地发现一些尚未完全贯通的集中性缺陷。 tgδ的测量一般使用交流高压电桥——(西林电桥)平衡电桥和不平衡电桥两种。 对大容量的试品如：电容器，长电缆也可用低功率因素瓦特表进行测量。 tgδ的测量方法－西林电桥(QS1型) 调节R3和C4，检流计的电流为0， 电桥平衡，有： 求得试品的等值电容Cx和等值电阻Rx QS1型西林电桥接线方式 杂散电容电流； 杂散电导电流； 试品表面泄漏； 周围其它试品的影响； 外界电源对电桥的干扰； 解决方法： 加设屏蔽；采用移相电源；采用倒相法 消除磁场干扰方法： 将电桥移到磁场干扰范围以外； 将检流计极性开关置于不同位置时调节电桥平衡测得试品介损和电容值再求平均值。 温度 tgδ随温度的增高而增大（固体电介质具有负温度系数）。为便于比较，应将在各种温度下测得的值换算到20℃时的值。 试验电压 良好绝缘的tgδ不随电压的升高而明显增加。当绝缘存在故障时， tgδ值随电压升高呈非线性变化。 试品表面泄漏 测试前应清除绝缘表面的积污和水分，必要时还可以在绝缘表面上装设屏蔽极 试品电容量 对大容量的试品，只能发现整体分布性缺陷，用测量tgδ的方法来判断绝缘状态就不很灵敏了。 tgδ能反映绝缘的整体性缺陷(全面老化)和小容量试品中的严重局部性缺陷； tgδ随电压变化的曲线可以判断绝缘是否受潮，含有气泡及老化的程度； 大容量的设备绝缘存在局部缺陷时，应尽可能将设备解体后分解测量进行分析。 视在放电量(q)：指产生局部放电时，一次放电出现的瞬变电荷。 放电起始电压(Ui)：指试品产生局部放电时，在试品两端施加的电压值。 放电熄灭电压(Ur)：指试品中局部放电消失时试样两端的电压值。 放电重复率(N)：指单位时间内局部放电的平均脉冲个数。 放电能量(△W)：指在一次放电中所消耗的能量。 设U=Umsinω t 气隙上电压为： 真实(实际)放电量(qr)(不可测)： 指气隙一次放电中出现的带正电(或带负电)的电荷之和。 由于气隙处于固体介质内部，气隙很小，放电时出现的qr或△Ug均很小，要想测出这些量是相当困难的。为此，引入了视在放电电荷q的概念。 Ca上的电压变化为： 放电过程示意图：外部电压u、空间电荷q、气隙电压uc的时间变化图 绝大多数大型电力变