12-3高效率开关电源设计2摘要.ppt

一、开关电源损耗分析与减小的方法 （一）导通损耗分析 1.1 常规技术下变换器的损耗主要是开关管和输出整流器的损耗 1. 开关管的导通损耗； 2. 开关管的开关损耗。 MOS作为开关管时的导通损耗 其中的电压和电流均为有效值。 矩形波电流与占空比的关系 降低开关管的导通电压可以有效地降低导通损耗 1. 对于MOSFET而言，降低导通电阻可以有效降低导通损耗。 例如将IRF840换成IRF740可以将导通电阻从0.8Ω降低到0.55Ω，导通损耗可以降低40%以上； 若采用CoolMOS的SPP07N06C3 (RDS(ON)=0.6Ω)替代IRFBC40（RDS（ON）=1.2Ω）导通损耗可以降低一半。 增加占空比可以降低导通损耗 在开关管额定电流相同的条件下，占空比为0.5的导通损耗是占空比0.4的导通损耗的80%。 这种损耗的减少是在不增加成本和电路复杂性条件下通过改变工作状态轻而易举得到的。 常规技术下开关管的导通损耗比例 MOSFET作为开关管时，导通损耗一般占开关管总损耗的2/3； IGBT作为开关管时，导通损耗一般占开关管总损耗的1/3。 1.2 降低导通损耗的方法 选择合适的工作模式，尽可能的提高开关管的导通占空比（不能无限制增加）； 选择导通电阻相对低的MOSFET； 降额使用，例如将可以输出250W的TOP250用于输出50W的方案中，可以使电源效率达到87%； 选择产品出厂时间比较晚的器件性能会比出厂时间比较早的器件导通电阻小； 选择导通电压降更低的器件作为开关管， 例如用IRF740替代IRF840，或者采用CoolMOS替代常规MOS的方法。 1.3.输出整流器的损耗 输出整流器的损耗主要是导通损耗。 在低电压输出时（如5V或3.3V），即使采用肖特基二极管（导通电压降约0.5V）作为输出整流器，其导通损耗也会使这一部分的效率不足10%！这样整机的效率大部分不会超过80%。 需要注意肖特基二极管的漏电流 尽管肖特基二极管的导通电压降比较低，但是肖特基二极管的漏电流比较大，应用不当时会出现高温状态下的漏电流产生的损耗会比由于低导通电压所减少的损耗还大。 这就是有时应用肖特基二极管时效率并不是很高的原因之一。 选择肖特基二极管要选用漏电流低的型号。 1.4 同步整流器可以使输出整流器的导通损耗降低 为了降低输出整流器的导通损耗，可以采用MOSFET构成同步整流器，如果一个导通电阻为10mΩ的MOSFET流过20A电流，其导通电压降仅仅0.2V！明显低于肖特基二极管的在这个电流下的导通电压，如果流过10A电流，则导通电压会更低。 现在的高效率开关电源的输出整流器主要采用同步整流器。 （二）开关管的开关损耗分析 在常规技术下，开关损耗随开关频率的升高而上升， 轻载时（如30%负载）开关电源的效率会明显降低。 2.1 开关管开关损耗产生的原因 开关过程对损耗的影响 开关管开关过程是开关感性负载， 开通过程需要电流首先上升到“电源电流”，然后才是电压的下降； 关断过程则是电压上升到“电源电压”，然后才是电流的下降。 这些过程中，有电压电流同时存在的现象。 其电流、电压的乘积非常高，因而产生开关损耗。 开关过程对开关损耗的影响 开关管的开关过程中，电流、电压同时存在，这个过程越长开关损耗越大。 在开关管的开关过程中让电流、电压相对 的相位发生变化可以降低开关损耗； 在开关管的开关过程中电流、电压值存在一个，而另一个为零，可以消除开关损耗； 缩短开关过程可以减小开关损耗 驱动能力对开关损耗产生的影响 驱动MOSFET实际上是对MOSFET的栅极电容的充放电过程。 例如在100ns时间内驱动一个100nC栅极电荷的MOSFET由关断到导通或由导通到关断需要1A驱动电流，如果是200mA则驱动时间就会变为500ns。对应的开关损耗将会增加到1A驱动电流的5倍。 因此，驱动电流对于快速开关MOSFET非常重要。 栅极电荷对开关损耗产生的影响 其中对MOSFET开关过程影响最大的是米勒电荷，即栅-漏极电荷。 例如栅极电荷为140nC的IRFP450（14A/500V）的栅-漏极电荷为80nC。 而fairchild的FQAF16N50 （16A/500V，全塑封装为11.5A）的栅-漏极电荷为28nC； ST的STE14NK50Z的栅-漏极电荷为31nC 栅极电荷对开关损耗产生的影响 在相同的驱动条件下，IRFP450的开关时间大约为FQAF16N50的2.86倍； 是STE14NK50Z的2.58倍。 对应的ORFP450的开关损耗也将是FQAF16N50的2.86倍， STE14NK50Z的2.58倍。 二极管反向恢复过程产生对开关管开关损耗产生的影响 二极管的反向恢复电流对开关