6-氮化物陶瓷摘要.ppt

氮化物陶瓷 氮化物一般是以MxNy表示氮化合物。根据氮化物的物理性质和键的特点，氮化物可分为非金属氮化物和金属氮化物。氮化硼和氮化硅属非金属氮化物。金属氮化物中又可分成过镀金属氮化物和非过渡金属氮化物。过镀金属氮化物有氮化钛、氮化钼和氮化钨等。氮化铝属非过渡金属氮化物。本节主要介绍氮化硅、赛龙、氮化铝、氮化硼等氮化物陶瓷。 氮化硅陶瓷 氮化硅陶瓷是一种先进的工程陶瓷材料。该陶瓷于19世纪80年代发现，20世纪五十年代获得较大规模发展。中国是在七十年代初开始研究，到八十年代中期已取得一定成绩。该材料具有高的室温和高温强度、高硬度、耐磨蚀件、抗氧化性和良好的抗热冲击及机械冲击性能，被材料科学界认为是结构陶瓷领域中综合性能优良、最有希望替代镍基合金在高科技、高温领域中获得广泛应用的一种新材料。因此近二、三十年来颇受青睐和重视。 Si3N4的晶体结构 氮化硅是共价键化合物。它有两种晶型：针状的α氮化硅和颗粒状的β氮化硅。它们均属于六方晶系。氮化硅的晶体结 构为Si原于和周围的4个N原子形成共价键，构成[SiN4]四面体结构单元，所有四面体共享顶角构成四维空间网络。正是由于[SiN4]四面体结构单元的存在，氮化硅具有较高的硬度。 氮化硅陶瓷制备 粉体制备： 氮化硅粉体都是人工合成的。大量研究表明，高质量粉体是得到高性能陶瓷重要保证。作为制备高性能氮化硅材料所需的粉体必须具备:窄的颗粒尺寸分布，低的金属杂质含量(Fe, Ti等)和氧含量，价格低廉适中。 硅粉直接氮化：是制备氮化硅粉体最早发展的工艺，也是国内目前应用最广泛的一种方法。该法相对比较简单，价格便宜，使用的原料是多晶硅或单晶硅。但此法生产限于间歇式，得到氮化硅粉是块状的，必须通过球磨才能得到细粉。 常见氮化硅粉体制备工艺 不同烧结工艺制备氮化硅陶瓷 氮化硅是共价键很强的化合物，离子扩散系数很低，因此很难烧结。氮化硅陶瓷的烧结方法主要有：反应烧结法、热压烧结法、无压烧结法、气压烧结法、反应结合重烧结法和热等静压烧结法等。 反应烧结氮化硅：边反应边烧结，因此控制生坯密度和氮化工艺是获得性能优良制品的关键。烧结前后坯体尺寸变化很少(线收缩约为1%左右)。烧结过程中不发生一般烧结过程中的收缩现象。此法可用来制造复杂形状制品。但是制品内包含了15-30%的气孔，因此材料力学性能比其他致密烧结工艺的低。 热压烧结氮化硅： 反应烧结氮化硅的密度只能达到2. 2-2.7g/cm3。使得制品的强度较低。在要求密度和强度较高的情况下，则需要采用热压烧结制备工艺。热压烧结的温度一般在1650-1820℃之间，压力为15-30MPa，保温保压60-240min。具体工艺参数依据选择的烧结助剂体系。整个烧结过程都在N2保护气氛下进行。加热方法可以采用感应加热或石墨电极发热。为了避免石墨模具与样品在高温下发生反应，样品在烧结后易于脱模，往往采用固体高温润滑剂(例如BN)涂于模壁四周与样品接触的部位。热压工艺的特点是样品致密，基本上达到理论密度，但受工艺条件限制，仅能制备形状简单样品，难于批量化生产，制品价格昂贵。 无压(常压)烧结氮化硅： 无压烧结法以含添加剂的氮化硅粉末压块(或反应烧结氮化硅坯体)在粉末床中进行高温烧结(N2气氛)而致密化。该工艺是一种制备复杂形状、适宜批量生产氮化硅制品的方法。由于烧结时没有外加驱动力，是靠粉体表面张力作为烧结动力，因此必须采用高比表面的粉体和添加较多的烧结助剂。由于近十多年内工艺改进和完善，无压绕结氮化硅材料性能有了很大提高，特别是在室温强度方面，有可能接近热压氮化硅水平。 气压烧结(gas pressure sintering)氮化硅 　气压烧结法是针对无压烧结工艺的不足之处而发展起来的一种制备高性能氮化硅材料的工艺。特点是在高温下烧结时，通过气体N2加压，抑制氮化硅分解，从而可以在更高温度下进行烧结。 　　 虽然较高的N2压力可以抑制氮化硅分解，有利于提高制品的均匀性和可靠性，但烧结设备属高压容器，价格比较贵。 氮化硅陶瓷应用 由于氮化硅陶瓷的优异性能，它已在许多工业领域获得广泛的应用，并右许多潜在的用途。 氮化硅基陶瓷刀具：Si3N4陶瓷作为刀具材料，具有以下优良性能: (1)高硬度。 Si3N4陶瓷刀片的室温硬度值达到莫氏硬度9级，大大提高了切削能力和耐磨性。 (2)高强度。 Si3N4陶瓷刀片的抗弯强度目前可达900－1000MPa，其抗压强度也与普通硬质合金相当。 (3)高耐热性和抗氧化性。 Si3N4陶瓷刀具的高温性能特别好，在1000℃强度几乎不下降，即使在1200－1450℃切削高温下仍保持一定的硬度、强度进行长时间切削。 (4)高抗热震性。抗热震性是指材料在承受急剧温度变化时，评价其抗破损能力的重