掺锰对Bi05Na1x+Agx051yBayTiO3系陶瓷压电和介电性能的影响.pdfVIP

2005年10月 四川大学学报(自然秤学版) OCt2005 dSichuan ScienceFditlotl) Vol、42Issue2 第42巷增刊2 lournal University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)z2—0354—04 系陶瓷压电和介电性能的影响 吴浪”，肖定全，赁敦敏，朱建国，余萍，廖运文，王孝平 (四川大学材料科学与T程学院，成都610064) wt％)掺杂[Bio 摘要：利用传统陶瓷工艺制备了Mn02(0--0．4 s(Nal一。Ag。)o5]1。BasTi03(z =0 06．Y=0．06)无铅压电陶瓷，研究了掺杂对该体系陶瓷的结构、压电和介电性能的影响 结果表明，陶瓷的压电常数d”随锰掺杂量增加而减小；适量锰离子的引入可降低介电损耗