放电等离子SPS和传统烧结合成纳米SiC掺杂的MgB2超导块材的研究.pdf

堡一—— 垫丝塑塑 !!塑兰塑型!!!!堂 超导块材的研究+ 李亚明，索红莉，马红霞，王 颖，刘 敏，马麟，赵跃，何 东，周美玲 (北京工业大学材料学院。国家教育部功能材料重点实验室．北京100022) 摘要：利用放电等离子(SPS)方法通过优化工艺制备的超导电性。欧洲、美国、日本等国家的很多研究小组 都在从事这方面的研究，并取得了较好的结果。s．x， 了纳来SIC掺杂的MgB2块材，发现SPS技术实现了块 材的快速致密化烧结，烧结的块材实际密度为2．0853Dou等人通过传统烧结方式，利用SiC纳米颗粒原位掺 杂MgB21“】t已成功制备出具有高临界传输电流密度 g／cm3，达理论密度的90％，与传统方法制得的块材相 比提高了30％，微观形貌显示块材表面非常均匀致密。 前国内在这方面的研究相对还比较落后，同时致密性对 同时在10K，oT条件下，样品的上值达到 2．6×105A／em2，与传统方法相比提高了18％；在20K， MgB2超导电性的影响还没有相关的报道。本文采用先 Plasma 进的放屯等离子(Spark Sintering，简称SPS) 4T下提高了44％，这表明区别于传统烧结的SPS快速 短流程制备方法可制得高密度的MgB2超导块材，从而方法通过优化工艺制各了纳米SiC掺杂的MgB2块材． 测试了块材的超导电性及致密性，并将它们与传统烧结 有望进一步改进MgB2的超导性能。 关键词： 所得到的纳米SiC掺杂的MgB块材进行比较，讨论了致 放电等离子烧结(sPs)；纳米SiC掺杂MgB： 密性和超导电性的关系，为下一步制各高性能的MgB， 块材：临界电流密度 超导线带材提供了理论基础。 中图分类号：TM26 文献标识码：A 文章编号：1001．9731(2006)增刊．0276．03 2实验方法 1 引 言 实验原料主要是从Aifa Aesar公司购买的Mg粉 2001年初，H本科学家Akimitsu等人11】发现了一 及非晶B粉(325m，纯度99．8％)。将摩尔比1l：2的 种具有39K临界转变温度的新型超导材料一MgB2，它 Mg粉，B粉和5％(质量分数)SiC粉末在乎套箱中充 的超导转变温度是迄今为止简单金属间化合物中埽高 分混合研磨。将混合研磨好的粉末装入模具．放入SPS 的，这引起了人们极大的兴趣。研究发现：MgB2是以 设各中，在真空条件下，通过不同烧结工艺制得SiC掺 声子为媒介的BCS超导体，它的相干长度为5rim，与 高温超导材料相比，它不存在弱连接【11．即大角度晶界 杂的MgB2块材。另外也通过上述配比压制成小块，优 可以使电流通过，因此我们可以制各具有高电流密度的 化了传统烧结工艺并合成SiC掺杂的MgB2块材。通过 常规x射线衍射仪(使用CuKn射线)分析了块材的 M