甚高频激发容性耦合等离子体的放电特性教程.pptVIP

甚高频激发容性耦合等离子体的放电特性 辛 煜，孙 恺，宁兆元 薄膜材料江苏身重点实验室 苏州大学，苏州 215006 2007-08-20 * * 1、引言 2、容性耦合等离子体实验装置 3、甚高频耦合放电的外部电学测量 4、甚高频耦合放电的内部电学测量 1、引言 超细线宽尺寸的介质刻蚀需要等离子体密度和离子轰击能量的独立控制， 从而提供较宽的表面刻蚀工艺窗口。 双频容性耦合等离子体源是一个重要的解决方案， 甚高频电源产生高密度等离子体， ，即控制等离子体通量， 低频电源控制离子轰击基片表面的能量，两种频率可以同时或分别施加 在电极板上。 正是由于双频容性等离子体丰富的物理特性，人们使用数值模拟与分析方法 来揭示频率影响、等离子体电子加热机理以及等离子体的鞘层特性等。 1、M. M. Turner等人显示了低频电流对鞘层区的空间结构的影响，尤其是无碰撞和欧姆加热机制的增强； 2、H. C. Kim等人引入了有效参量（如有效频率、有效电流和电压）， 采用单频等离子体的均匀模型来描述等离子体放电特性； 3、H. C. Kim等人使用粒子-MC模型显示了低频电流的改变是电子加热模式转变的原因； 4、Boyle等人采用碰撞模型研究了与时间相关的鞘层特性； 5、Z. L. Dai等人采用了自恰的混合流体模型研究了双射频碰撞鞘层的时空特征