光电子第五章_3技术报告.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电荷耦合摄像器件－CCD制造工艺 氧化： (3)可以作为多晶硅薄膜之间的隔离层。 隔离多晶硅的SiO2层的质量将直接影响CCD的电路的性能，SiO2能防止上层多晶硅和下层多晶硅间短路，就像电线上的绝缘体可以防止短路一样。同时，氧化物要求无针孔和空隙。 在CCD 制造中，较多采用干氧—湿氧—干氧结合的氧化方式. CMOS摄像器件 CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor 互补金属氧化物半导体 CMOS技术：可以将光电摄像器件阵列、驱动和控制电路、信号处理电路、模/数转换器、全数字接口电路等完全集成在一起，可以实现单芯片系统（SOC）。 CMOS摄像器件 CMOS的结构：无源像素型（PPS）和有源像素型（APS） 无源像素型： 由反向偏置的光电二极管（PD）和开关管（TX）组成。 当该像素被选中激活时，TX选通，PD中由于光照产生的信号电荷通过TX到达列总线输出； 在列总线下端有一个电荷积分放大器，将信号电荷转换为电压输出。 CMOS摄像器件 无源像素型特点： 结构简单； 像素填充率高； 量子效率比较高； 由于传输线电容较大，读出噪声较高，而且