自动检测技术及应用(七) 霍尔传感器及应用 第七章 霍尔传感器 本章主要学习霍尔传感器 的工作原理、霍尔元件的特性参数, 霍尔集成电路的特性及其在检测技术中的应用,还涉及磁场测量技术。 第七章 霍尔传感器 霍尔式传感器是基于半导体材料的霍尔效应原理制成的敏感元件,它是利用霍尔元件将被测量电流、磁场、位移、压力等转换成电势输出的传感器。 1879年,霍尔即在金属上发现了霍尔效应,但由于非常微弱,没有引起重视。1948年后,由于半导体材料迅速发展,找到了霍尔效应比较明显的半导体材料,并制成了砷化镓、锑化铟、硅、锗等材料的霍尔元件。 霍尔式传感器最大的特点是非接触测量。 第一节 霍尔元件的结构及工作原理 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH,这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时,电子受到洛仑兹力的作用,向内侧偏移,在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 磁感应强度B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强,霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示: EH=KH IB 霍尔效应 霍尔效应 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔
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