光纤通信刘增基-第3章绪论.ppt

第3章 通信用光器件 3.1 光源 3.2 光检测器 3.3 光无源器件 3.1 光源 3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构 一、激光产生的物理基础 1.原子的能级 微观粒子的能量只能处于分立的能量状态，称为能级。 粒子处于最低能级时称为基态，处于比基态高的能级时，称为激发态。 在热平衡条件下，各能级上的粒子数分布满足玻尔兹曼统计分布（正态分布） 2 、光与物质相互作用 3. 频率特性 在直接光强调制下， 激光器输出光功率P和调制频率f的关系为: 3.1.4 发光二极管（LED) LED与LD结构上的异同： 同：均是双异质结（DH)条形平面结构 异：LD有谐振腔 LED无谐振腔 结构的不同造成了性能的不同 LED与LD性能的不同: LD:有谐振腔，输出的是方向性很好、强度大的相干光 有阈值电流。 LED:无谐振腔。有源区是自发辐射，输出 光斑大，强度低，谱线宽度大的自发辐射光，无阈值电流。 由于结构简单:造价低、性能稳定、寿命长 在小容量、短距离系统中发挥了重要作用 3.2 光电检测器 光接收机的关键器件 其功能是把光信号转变为电信号 常用的光检测器有PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD) 3.2.1 光电二极管（PD) 光电二极管是利用半导体PN结的光电效应实现光信号转换为电信号的光检测器器件 光电效应就是指一定波长的光照射到半导体的PN结时，价带上的电子吸收光子能量而跃迁到导带，使导带中有了电子，价带中有了空穴，从而使PN结中产生光生载流子的一种现象。这些载流子在内部电场的作用下在闭环电路中形成光生电流。在开环电路中形成电动势 由于PN结界面存在耗尽层和没有电场的中性层，因此在存在由于光电效应由耗尽层产生的漂移电流情况，还存在中性层热运动产生的扩散电流，这两种电流的总量构成光生电流 3.2.2 PIN光电二极管 PIN光电二极管是在P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料，一般称为本征半导体层，即I层 由于I层是轻掺杂，故电子浓度很低，经扩散作用后可形成一个很宽的耗尽区 在反向偏压的作用下，可大大提高PIN光电二极管的光电转换效率 及响应速度 PIN光电二极管的主要特性 光电转换量子效率：一次光生电子-空穴对和入射光子数的比值 也可以用一次光生电流和入射功率的比值:响应度来表示 噪声：包括散粒噪声和热噪声，用均方噪声电流来描述 3.2.3 雪崩光电二极管（APD） 雪崩光电二极管是利用光生载流子在耗尽区内的雪崩倍增效应，从而产生光电流的倍增作用 所谓雪崩倍增效应是指PN结外加高反向偏压后，在耗尽区内形成一个强电场。当耗尽区吸收光子时，激发出来的光生载流子被强电场加速，以极高的速度与耗尽区的晶格发生碰撞，产生新的光生载流子，并形成链锁反应，从而使光电流在光电二极管内部获得倍增 存在一个击穿电压UB APD具有转换效率高、响应速度快和附加噪声低等特点 倍增因子：APD输出光电流和一次光电流的比值 APD的转换效率是PIN的g倍，可表示为 噪声 APD对量子噪声直接放大之外，还产生新的噪声，表示为过剩噪声因子F。F是倍增因子的倍数。因此量子噪声为 暗电流噪声为 3.3 光无源器件 连接器和接头 光耦合器 光隔离器与光环形器 光调制器 光开关 3.3.1 连接器与接头 连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸(活动)连接的器件。主要用于光纤线路中光纤与其他器件的活动连接。 接头：光纤与光纤之间的固定连接。 连接器 单芯连接器结构如图 套管和插针保证光纤对中连接 低插入损耗要求： －端面适配、直线连接 －球端面或斜面 3.3.2 光耦合器 功能：把一路光信号分配给多路输出或将多路光信号组合成一路输出 对光路影响： －插入损耗 －反射及串扰噪声 耦合器类型： －T型耦合器 －星型耦合器 －定向耦合器 －波分复用/解复用器 耦合器基本结构 光纤型 微器件型 波导型 定向耦合器 由耦合理论： 调节a、b的有效长度使： 当Pa(λ1)最大时,Pa(λ2)=0 当Pb(λ2)最大时,Pb(λ1)=0 主要特性 耦合比： 附加损耗： 插入损耗 方向性（隔离度） 一致性： －耦合比的均匀性 3.3.3 光隔离器与光环形器 隔离器：只允许光向一个方向传播 主要用于激光器或放大器后面 主要参数： －插入损耗：对正向入射光 －隔离度：对反向反射光 与输入光的偏振态无关的隔离器  空间分离偏振器： －垂直分量直线通过 －水平分量斜线通过 半波片： －光从左到右：偏振态顺时针偏转45o －光从右到左：偏振态逆时针旋转45o 环形器 1输入，2输出 2输入，3输出 3输入，1输出 主要用于分插复用器 3.