晶体管原理-3000短器件发展方向分解.ppt

第四章 场效应晶体管 第二节 短沟道效应 第四章 场效应晶体管 第四章 场效应晶体管 2) 窄沟道效应 MOSFET沟道宽度Z很小时,阈电压VT随Z的减小而增大。 第四章 场效应晶体管 漏诱生势垒降低效应 第四章 场效应晶体管 热载流子效应 第四章 场效应晶体管 栅氧化层中电子积累的影响: 第三节 微电子器件的发展方向 MOSFET的发展方向 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.06.12 短沟道效应:沟道长小到可以和漏结﹑源结耗尽层宽相比拟时,阈电压下降﹑跨导下降﹑沟道夹不断 Poon-yan模型—电荷分享模型 L很小时,终止于栅下空间电荷区的电力线将有一部分发自于源和漏区。 沟道耗尽区总电荷 受栅极控制的 受源漏区控制的 阈电压的变化—1)短沟道效应 长沟道时: --2.短沟道效应 减轻阈电压沟道效应的措施: ①结深②栅氧化层厚③衬底掺杂 对阈电压有贡献的沟道耗尽区电离受主电荷面密度平均值: 则VS=0,VB=0时: --2.短沟道效应 实际栅电极总有一部分要覆盖在沟道宽度以外的场氧化层上,并在场氧化层下的衬底表面也会产生一些耗尽区电荷。 由VGS引起的扩展区2?Z内的电离受主杂质折算到宽度为Z的沟道耗尽区中,使沟道耗尽区平均电离杂质电荷面密度变为: 则窄沟道MOSFET的阈电压为: --2.短沟道效应 1)表面DIBL效应 VFBVGSVT, 源漏区间势垒高度表面的低于体内的,电子从源区注入沟道及在沟道内的流动都发生在表面,形成亚阈电流IDsub。 (1)随沟道长L缩短,亚阈电流增加; (2)亚阈电流一直随VDS增加而增加,VT减小; (3)VGS对IDsub控制能力变弱，使MOSFET难以截止。 2）体内DIBL效应 VGSVFB，VDS不太大，源漏区间势垒高度表面的高于体内,电子从源区注入沟道及在沟道内流动都发生在体内,形成穿通电流。 以n-MOSFET为例：长沟道的VDS全降在漏结上。 短沟道时，源于漏的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，使源漏区间的势垒高度降低，称为漏诱生势垒降低效应（DIBL）。 --2.短沟道效应 ---在强电场作用下,电子在两次碰撞之间会加速到比热运动速度高许多倍的速度,由于动能很大而称为热电子,从而引起“热电子效应”。 改进：(1)两次离子注入; (2)外加衬底偏压。 问题：穿通电流受VGS控制弱；VDS很大时将导致穿通击穿。 热载流子：能量比费米能级大几个 kT 以上的载流子 (1)横向电场Ey足够大时, 沟道电子在纵向电场作用下注入到栅氧化层中;A (3)耗尽区内热激发产生电子-空穴对;C (2)漏区附近强电场Ey使高能电子碰撞电离产生电子-空穴对; B 短沟道MOSFET中产生IG的原因 --2.短沟道效应 沟道热电子效应为主。 (1)VT正漂; (2)跨导gm下降; (3)亚阈电流IDsub增大。 (1)双扩散D-MOSFT; (2)采用偏置栅结构; (3)埋沟结构。 产生沟道热电子的原因是漏区附近极高的横向电场的存在。抑制热电子效应的措施: 沟道长度越短,热电子效应越严重。 IG的出现表征着热电子效应的存在,且IG的大小可用来衡量热电子效应的大小。 第四章 场效应晶体管 MOSFET的发展方向:沟道长度L不断缩短 *优点: 对于分立器件可提高跨导和最大工作频率，对IC可以提高速度、增大集成度和降低功耗。 *缺点: 阈电压下降；阈电压不稳及跨导退化。 改进—恒场按比例缩小 当MOSFET沟道长度缩短时,器件的其他各种横向和纵向尺寸以及电压也按一定的比例缩小。 ①栅氧化层与半导体界面处的纵向电场强度不变; ②沟道横向电场强度不变; ③耗尽区内电荷面密度不变; 第四章 场效应晶体管 --3.微电子器件的发展方向 ⑤阈电压 VT’=VT/K; ⑥最高工作频率 fT’=KfT; ⑦功耗 缩小1/K2; ⑧门延迟 缩小1/K; 优点:面积小、速度快、功耗低。 ④跨导不变; *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.06.12 * * * *