晶体硅太阳电池背场氢化微晶硅薄膜制备及特性.pdfVIP

．134． 中国太阳能光伏进展1 晶体硅太阳电池背场氢化微晶硅薄 ：膜制备及特性 Borchert2Martin 班群1一Dietmar Hanke2沈辉1 1中山大学理工学院广州510275 2 andServiceCeii毒FraunhoferISE Laboratory Gelseakirchen45884．德国 cm×45 【摘要】 采用改进大面积(45 era)等离子增强化学气象沉积(PECVD)方法， c-Si：H)，用于薄膜硅太阳电池背 在玻璃衬底上制备P型氢化微晶硅薄膜(1I 场及背电极接触。在三甲基硼烷流量比0．66％、反应温度250。C条件下沉积得 到薄膜表面电阻率0．03～1．20Q·cm，晶化度45％～50％。进一步研究了沉积时 间及源气体流量比、压力等工艺参数对薄膜特性的影响。采用暗特性曲线，四 探针、拉曼以及椭偏光谱扫描等方法对薄膜结构和光学特性进行分析；根据阿 仑尼乌斯方法、Urbach方法等探求薄膜激活能及缺陷态分布。在此基础上沉积 了pin结构微晶硅薄膜太阳电池。 【关键词】 氢化微晶硅等离子化学气象沉积(PECVD)方法太阳电池 and of Silicon PreparationProperties Microcrystalline Hydrogenated forBackSurfaceFieldIn SiliconSolarCells． P-layers Crystalline 1～ BanOunl·2BorchertDietmarzHankerMatin2ShenHuil 1Institute ofPhysics 510275，China andService 2LaboratoryCenter，FraunhoferISE：Gelsenkirchen45884，Germany) 0引言 EnhancedChemical 采用等离子增强化学气象沉积(Plasma Vapor 的氢化微晶硅薄膜是当前最具发展前景的薄膜太阳电池材料之一，具有可在大面积衬底上获 得均匀薄膜的工艺优点以及降低大规模生产成本的空间。掺杂的氢化微晶硅薄膜除应用于多 层Tandem电池结构，也可用于晶体硅太阳电池中，例如在异质结太阳电池中作为活性层以 代替非晶硅发射层【I，21，在异质结或传统太阳电池中作为背面场等口l。 在稳态等离子体中，反应气体在强电场或磁场的作用下部分电离形成高速电子和离子， 由于过程属于非热力学平衡过程，中性粒子保持低能量。粒子之间碰撞生成在低温下具有高 反应活性的粒子。另一方面，减少离子对生长表面的撞击对获得更高的晶化度、降低缺陷生 薄膜硅太阳电池及材料·135· 成也很重要。对于大面积薄膜制备，表面厚度均匀性对光学和电学性能影响也更加明显【41。 厚度的变化规律与等离子体系处于。a过渡态区间”亦或。Y．区