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《模拟电子技术》复习资料答案
填空题
半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为 掺杂性 、 热敏性 、 光敏性 ;其电阻率分别受 杂质 、 温度 、 光照 的增加而 下降 。
用于制造半导体器件的材料通常是 硅 、 锗 和砷化镓。
当外界温度、光照等变化时,半导体材料的 导电 能力会发生很大的变化。
纯净的、不含杂质的半导体,称为 本征半导体 。
在N型半导体中如果掺入足够量的价元素,可将其改型为P型半导体。P型半导体。
本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越( 多 ,而少数载流子应是(( 空穴 ((,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
半导体中存在着两种载流子:带正电的(( 空穴 ((和带负电的 (电子 。
N型半导体中的多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。
杂质半导体分 N型(电子) 和 P型(空穴) 两大类。
N型半导体多数载流子是 电子 ,少数载流子是 空穴 。P型半导体多数载流子是 空穴 ,少数载流子是 电子 。
杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于 掺杂浓度 ,而少数载流子则与 温度 有很大关系。
PN结的主要特性是 单向导电性 。
PN结是多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的 漂移 运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为 空间电荷区(势垒区) 或 耗尽区(阻挡层) 。
PN结加正向电压时,空间电荷区变 窄 ;PN结加反向电压时,空间电荷区变 宽 。
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为。PN结PN结PN结UZ时,它才能产生稳压作用。
变容二极管是利用PN结的 势垒电容 随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。
双极型三极管有 两 种极性的载流子参与导电;场效应管有 一 种极性的载流子参与导电。
三极管有两个PN结,即 发射 结和 集电 结,在放大电路中 发射 结必须正偏, 集电 结必须反偏。
三极管个电极电流的分配关系是IE= IB+IC 。
三极管有(NPN(型和((PNP((型,前者在电路中使用的符号是((((((,后者在电路中使用的符号是((((((((。
晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是:发射区需 重 掺杂,基区宽度要 窄 ;外部条件是:发射结要 正向 偏置,集电结要 反向 偏置。
处于放大状态的三极管IC与IB的关系是(IC=( IB (,处于饱和状态的三极管IC不受IB的控制,(失去(了放大作用,处在截止状态的三极管IC(0((。
电流放大系数(的定义是 ( IC/IB 。
当NPN锗管工作在放大区时,在E、B、C三个电极中,以 集电极 电位最高,(发射极(的电位最低;UBEQ约等于 0.2V 。
当PNP型硅三极管处于放大状态时,在E、B、C三个电极中,以(发射(极电位最高,(集电(极的电位最低。
三极管的反向饱和电流ICBO随温度的升高而(升高((,穿透电流ICEO随温度升高而((增加((,UBE随温度的升高而((下降((,(值随温度的升高而((增加(((。
三极管的三个主要极限参数是((PCM(((、((((ICM((((和(((反向击穿电压((((。
从三极管的输出特性曲线看,三极管可分成 放大区 、 饱和区 、((截止区(((和击穿区四个工作区域。当三极管工作在((放大(((区时,关系式IC=(IB才成立;当三极管工作在(((截止(((区时,IC(0;当三极管工作在(((饱和((((区时,UCE(0。
三极管有三个电极,分别是 集电极 、 发射极 和 基极 。
用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为VB=+10.7V, VC=+10.3V, VE=+10V,则该管工作在(饱和((区。
用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+3.1V, VB=+2.9V, VC=-2V,则从材料看为 锗 管,从结构上看为 PNP 型管,且A为 发射 极,B为 基 极,C为 集电 极。
用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+6.3V,则从材料看为 硅 管,从结构上看为 PNP 型管,且A为 发射 极,B为 集电 极,C为 基极 极。
用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为VA=+7V, VB=+1.8V, VC=+2.5V,则从材料看为 硅 管,从结构上看为 NPN 型管,且A为 集电 极,B为 发射 极,C为 基极 极。
在放大状态下,三极管的1,2,3三个电极的电流分别为I1=1.5
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