第一章认识LED重点.pptVIP

影响电导率的因素：掺杂浓度、温度、均匀性。 掺杂浓度：不应小于1×1017/cm3 参杂温度：MOCVD反应腔温度及材料特性 参杂均匀型： MOCVD气流平稳、气压 2、制得电导率高的p型和n型材料 四、LED对外延片的技术要求 外延层的完整性：晶体的错位和空位缺陷，氧气等杂质。 影响完整性的因素：不同的外延技术、同一外延技术不同的设备，同一设备不同的操作人员。 3、获得完整性好的优质晶体 四、LED对外延片的技术要求 LED的发光原理：pn结处的空穴和电子的复合发光，同时伴有热产生，复合几率大，则发光效率高。 InGaAlP材料，调整Ga-Al组分，改变Eg，得到黄绿到深红的LED波长。但改变组分的同时使得直接跃迁半导体材料变为间接跃迁，影响发光效率。 4、要求发光复合概率大 四、LED对外延片的技术要求 表面平整度 厚度的均匀性 径向电阻分布 外延片检测 四、LED对外延片的技术要求 通过光强测试仪的两根探针直接接触外延片进行测试。 1.1引脚封装结构中，看到LED结构有内部电极和外部电极。 更一般的情况，任何半导体器件最终都要通过电极引线与外部电路相连接。 四、制作LED的pn结电极 五、LED芯片电极P极和N极的制作 定义：电极金属与半导体接触部分——电极，电流-电压（I-V）呈现线性关系，线性关系比值R=U/I，因此相当于一个阻值很小的电阻，称为欧姆接触电阻。 欧姆电阻对LED器件的影响：欧姆电阻与内部pn结串联→如果欧姆电阻大，则LED正向工作电压大，注入效率低→器件发热、亮度下降，寿命缩短。 结论：LED芯片的pn结电极直接影响LED器件的质量。 1、欧姆接触电阻 五、LED芯片电极P极和N极的制作 光刻 真空电子束蒸发 湿法腐蚀 剥离 2、pn结电极的制作工艺 五、LED芯片电极P极和N极的制作 电子束蒸发是一种清洁的金属薄膜淀积工艺。由热丝发射的电子经过聚焦、偏转和加速以后形成能量约为10keV的电子束，然后轰击放在有冷却水套的容器中的金属并使之蒸发。蒸发的金属在置于附近的衬底（如硅片）上淀积，从而获得有一定厚度的金属镀层。电子束蒸发具有沾污轻和适用范围广的优点，但不适用于多元合金及易被电子束分解的化合物。铝受电子束轰击激发出的特征X射线会对器件造成损伤。电子束还可能使真空室内残余气体和一部分蒸发的金属原子电离。电子束蒸发在半导体集成电路中的主要应用是引线金属化层的淀积。 真空电子束蒸发 湿法腐蚀 这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。 例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的方法称为“湿法”刻蚀。 它的优点操作简便；对设备要求低；易于实现大批量生产；刻蚀的选择性好。 化学反应的各向异性较差，横向钻蚀使所得的刻蚀剖面呈圆弧形，很难做到精确控制图形。湿法刻蚀的另一问题，是抗蚀剂在溶液中，特别在较高温度的溶液中易受破坏而使掩蔽失效，因而对于那些只能在这种条件下刻蚀的薄膜必须采用更为复杂的掩蔽方案。 p型电极：镍/铜（Ni/Au）——良好的透光性和电学特性。 n型电极：进行合金化——目的减小电极之间的影响。 但进行进行合金化的过程也会对p型电极产生影响，保持p型电极在对n型电极进行合金化的过程中保持不变非常重要。 3、pn结电极材料 五、LED芯片电极P极和N极的制作 V型电极：芯片上要两个电极 L型电极：相对V型电极，芯片上只要一个电极，导热性能好，光输出功率高，大电流LED工作的I-P特性好 4、pn结电极 五、LED芯片电极P极和N极的制作 下面我们了解下LED的I-V特性与I-P特性区别。 ???? 电极位置的不同对LED的 I-V (电流-电压)特性也会产生影响。 LED芯片在20mA电流以下的I- V特性和I-P特性与芯片尺寸的关系不大， 但与电极位置有一定关系。 同一批芯片中，避免有不同的电极结构，继而防止在不同的电流下工作时出 现不同的I-P特性，结果造成LED的性能不一致。 相对于 v型接触电极，L型接触电极的芯片的I-P特性较好，而且导热也非常 好。这种芯片在封装时只需要焊接一根线，因此其抗静电能力好、光输出效率 高。pn型电极对LED器件而言是十分重要的，应重点关注这一部分的制作。对于不同功率的LED器件，其电极的结构也不一样 1.3 LED芯片的类型 一、根据LED的发光颜色进行分类二、根据LED的功率进行分类 1.3节内容 可见光通常指波长范围为:380nm - 760nm 的电磁波。人眼可见范围为:312nm - 1050nm 人眼可见光范围 红外光使用领域 紫外光使用领域 1.