补充-半导体器件基础-课堂1概要.ppt

* 电路与电子线路基础 电路部分 * 五、二极管的微变等效电路 二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻。 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 图、二极管的微变等效电路 电路与电子线路基础 电路部分 * 电路与电子线路基础 电路部分 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电路与电子线路基础 电路部分 * 电路与电子线路基础 补充 半导体器件基础 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 电路与电子线路基础 电路部分 * 　 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 　　纯净的具有晶体结构的半导体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 一、导体、半导体和绝缘体 电路与电子线路基础 电路部分 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体 将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.1　本征半导体结构示意图 二、本征半导体的晶体结构 当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 电路与电子线路基础 电路部分 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 1.1.2　本征半导体中的 　　　　 自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 T ? ，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 T ? 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 空穴可看成带正电的载流子。 三、本征半导体中的两种载流子 电路与电子线路基础 电路部分 * 四、本征半导体中载流子的浓度 在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 本征半导体中载流子的浓度公式： T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.43×1010/cm3 本征锗的电子和空穴浓度: 　　n = p =2.38×1013/cm3 本征激发 复合 动态平衡 其中，K1为与半导体材料有关的常数；T为热力学温度（K），k为玻耳兹曼常数（8.63×10-5eV/K）；EGO为热力学零度时破坏共价键所需能量。 电路与电子线路基础 电路部分 * 1. 半导体中两种载流子 带负电的自由电子 带正电的空穴 　　2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，　　　称为 电子 - 空穴对。 　　3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 　　　　　　表示，显然 ni = pi 。 　　4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又　　　不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动　　　会达到平衡，载流子的浓度就一定了。 　　5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升　　　高，基本按指数规律增加。 本征半导体特性：　 电路与电子线路基础 电路部分 * 1.1.2　杂质半导体 杂质半导体有两种 N 型半导体 P 型半导体 一、 N 型半导体(Negative) 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如　　磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型　　半导体)。 常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。 电路与电子线路基础 电路部分 * 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。 　　电子称为多数载流子(简称多子)， 　　空穴称为少数载流子(简称少子)。 5 价杂质原子称为施主原子。 电路与电子线路基础