金属学与热处理第四章技巧.ppt

金属的变形概述 单晶体的塑性变形 多晶体的塑性变形 合金的塑性变形 塑性变形对组织性能的影响 滑移系对性能的影响 滑移的实质是位错的运动 位错的增殖 位错的交割 位错的塞积 作 业 6-1；6-2；6-6 综述强化金属的原理和方法 铜单晶（FCC）的临界分切应力=0.64Mpa，在[001]方向上施加多大的拉伸应力，才能使其滑移系(111)+ [ ]开动？ ①　位错绕过第二相粒子－弥散强化 L 可见，第二相粒子间距越小，强化作用越明显。 Ｃ. 硬脆第二相在塑性相中呈颗粒状分布 ②　位错切过第二相粒子－沉淀强化 若第二相粒子硬度不太高，尺寸较小且可变形时，运动的位错与其相遇时将切过粒子，与基体一起变形，如右图。由于位错切过第二相粒子产生新的表面，将额外作功，消耗能量，因而可以强化材料。 　　一般从过饱和固溶体中沉淀析出的共格粒子属于这种情况，因此这种强化也称沉淀强化。 形成纤维组织 晶粒沿变形方向被拉长或压扁; 杂质呈细带状或链状分布。 第六节 塑性变形对组织性能的影响 6.1 塑性变形对组织和结构的影响 （1）线(丝)织构： 某一晶向趋于与变形方向平行。 (如拉拔时形成) （2）面(板)织构： 某晶面趋于平行于轧制面，某晶向趋于平行于主变形方向。 (轧制或挤压时形成） 2） 形成形变织构 形变织构 多晶体材料由塑性变形导致的各晶粒呈择优取向的组织。 织构的类型 线织构 面织构 “制耳” HP HE 热压烧结 热挤压烧结 对性能的影响 利：电工硅钢片 　　热电材料等 弊：制耳 3) 形成位错胞（亚结构） 金属在大量变形之后，由于位错的运动和交互作用，位错不均匀分布，使晶粒碎化成许多位向略有差异的亚晶粒。 亚晶粒边界上聚集大量位错，而内部的位错密度相对低得多。 随着变形量的增大，产生的亚结构也越细。 整个晶粒内部的位错密度的提高将降低材料的耐腐蚀性。 3) 形成位错胞（亚结构） 2.1.7 滑移变形的主要特点 滑移只能在切应力的作用下发生。 滑移常沿晶体中原子密度最大的晶面和晶向发生。 因为在最密晶面之间的面间距最大，原子面之间的结合力最弱；沿最密晶向滑移步长最小，滑移所需外加切应力最小。 滑移时晶体的一部分相对另一部分的滑移距离为原子间距的整数倍，在晶体表面形成台阶。 滑移的同时必然伴随有晶体的转动。 2.1.8 滑移的位错机制 大量的理论研究证明，滑移是由于滑移面上位错运动而造成的。上图分别表示一刃型和螺型位错在切应力的作用下的运动过程，通过一根位错从滑移面的一侧运动到另一侧便造成一个原子间距的滑移。 t t t t A. 滑移的实质是位错的运动 塑性变形的过程中，尽管位错移出晶体产生滑移台阶，但位错的数量(位错密度)却在不断的增加，这是因为在外应力作用下发生塑性变形时位错会发生增殖。 例如： B. 位错的增殖 利用Fnak-Read源说明增殖的过程。若滑移面上有一段位错，CD两点钉住不可滑移，在外力作用下位错应向右移动，这段位错将弯曲、扩张，相遇为异号位错相消，产生一位错环，内部CD段还存在。反复可生成一系列的位错环，扩展到晶体外产生的滑移台阶可为柏氏矢量的整数倍。 B. 位错的增殖 根据计算,使两端固定的位错线弯曲到曲率半径为R圆弧所需切应力为: F-R源模型中，直线时曲率半径为无穷大，使其弯曲所需应力很小，当半径为L/2时，曲率半径最小，所需应力最大，继续向外扩展时，曲率半径又增大，切应力又减小，因此开动F-R位错源所需的临界切应力为： L B. 位错的增殖 b1 b2 扭折 C. 位错的交割 图示例子表示如果位错AB向下运动扫过位错CD，由于扫过区间的晶体两边发生了柏氏矢量大小的滑移，在位错CD上产生了EF转折。 不在同一个滑移面上的两刃型位错运动的过程中可发生交割。 b1 b2 扭折 C. 位错的交割 由于EF的出现，增加了位错线的长度，需要消耗一定的能量；此外位错交截后会产生一种位错难以运动的固定割阶，成为后续位错运动的阻碍。金属冷加工硬化、强度提高，塑性下降就与此相关，称为割阶强化。 EF是一段新的短位错线，长度为AB的柏氏矢量，它的柏氏矢量与CD的柏氏矢量相同 位错运动时，在其前沿如果有障碍(如晶界、不可变形的硬质点……)，就停留不能前进，若同一位错源不断产生一系列位错源源而来，在此将产生前密后疏的位错排列组态，称为“塞积群”。 ⊥ ⊥ ⊥ ⊥ ⊥ ⊥ 障碍物 位错源 D. 位错的塞积 可见位错塞积处产生很大应力集中，可能带来的后果有： ① 螺位错可改变滑移面而发生交滑移； ② 晶界处的应力可能迫