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《》 姓名：___________ 班级：___________ 学号：___________ 2013年12月28日 柴氏直拉法 柴氏直拉法全称为柴可拉斯基法(Czochralski process)，又称直拉法(CZ法)，是一种用来获取半导体、金属、盐、合成宝石单晶材料的晶体生长方法。这个方法得名于波兰科学家扬·柴可拉斯基，他在1916年研究金属的结晶速率时，发明了这种方法。[1] 柴可拉斯基式拉晶仪简易图.[2]顺时针(CW)逆时针(CCW) 一台好的单晶炉除了有平稳的机械传动系统、方便的供水系统、供电加热及自动控制系统、抽真空与充气系统几部分外，关键是要有一合理的热场。[3]它保证熔体的任何部分不产生新的晶核，从而使单晶能顺利长大。一个合理的热场，必须使熔体的的任何部分都高于其熔点。简单地讲，熔体纵向温度梯度，径向温度梯度，而其他部分熔体均处于过热状态，不能产生相转变。另外，对晶体中温度梯度的要求是，且大小相当，既能使晶体生长时放出的相变潜热顺利地从界面传递走，又不要因温度梯度（绝对值）过大而影响晶体的完整性。 直拉法单晶生长工艺 在柴氏直拉法的工艺流程中，最为关键的是“单晶生长”或称拉晶过程，它又分为：润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光等步骤。 柴氏法示意图（从左到右）步骤一：多晶硅和掺杂物的熔化步骤二：向熔融物中放入晶种步骤三：晶体开始生长步骤四：缓慢向上提拉棒，同时棒与下面的坩埚之间以反方向旋转步骤五：单晶硅生长完成CZ法中的杂质引入 在几乎所有的硅圆晶中，掺杂都是必须的。典型的便是在融化之前向坩埚里加入一定数量的掺杂硅。能够预测拉晶中的掺杂浓度是很重要的，但是考虑到偏析过程，这并不是简单易懂的。所有的杂质无论是需要的或不需要的都会在从液体到固体的偏析过程中同时产生。我们定义固态晶体中杂质的浓度，熔融物中杂质的浓度，一般会有。定义偏析系数，则有： 和是固液接触面的不同面的杂质浓度，通常指平衡偏析系数。如果，杂质偏向于进入固态；如果，则相反。从物理上讲，偏析发生的原因是杂质在固液两态中有不同的溶解度。但在两态中杂质的化学势必须相同，这导致了偏析。通常确定于实验测量特定温度下特定系统中特定杂质的数量。在硅的CZ生长中，对于大多数的杂质，有。这意味着这些杂质偏向于进入液态端。如果我们在熔融物中开始于一个确定的浓度，那么随着晶体的生长，由于硅从熔融物中合并到生长中的晶体比杂质快，将随时间的增加而增加。这将导致一个结果：拉晶晶体在后端要比开端有更重的掺杂。换句话说就是如果，和在生长中将是时间的函数，且都将增大。下表包含了硅的CZ生长中大多数杂质的平衡偏析系数。 硅的CZ生长中杂质的平衡偏析系数 杂质 偏析系数 As 0.3 Bi 7×10-4 C 0.07 Li 10-2 O 0.5 P 0.35 Sb 0.023 Al 2.8×10-3 Ga 8×10-3 B 0.8 Au 2.5×10-5 我们可以在右图的帮助下来模型化搀合掺杂剂到晶体生长中。定义、和分别为初始体积杂质的初始数量熔融物中杂质的初始浓度、和分别为在生长中的熔融物的体积熔融物中杂质的数量熔融物中杂质的浓度和为固态晶体的体积固态晶体中杂质的浓度[4]如果，、、、和将是时间的函数。 在晶体生长过程中，一体积为的熔体凝固将从熔融物中移除一定数量的杂质 这表明在熔体中杂质的数量是熔体中已经凝固的数量的函数。对于固态晶体中杂质的浓度 表明了取决于。 参考文献： 1．Kilva. 柴可拉斯基法-维基百科[DB/OL]. (2013-12-6) [2013-12-28]. / /index.php?title=柴可拉斯基法 2．S. M, SZE. Semiconductor Devices-Physics and Technology[M]. 2nd Edition. New York:John Wiley Sons, 2002: 25-26 3．杨树人，王宗昌，王兢. 半导体材料[M]. 第二版. 北京: 科学出版社，2004: 62-63 4．James D. Plummer, Michael D. Deal, and Peter B. Griffin, Silicon VLSI Technology[M], Prentice Hall, 2000, ISBN 0-13-085037-3 pp. 126–127