耐电晕聚酰亚胺薄膜的研究进展.doc

耐电晕聚酰亚胺薄膜的研究进展 摘要：耐电晕聚酰亚胺薄膜是在原聚酰亚胺薄膜的基础上加入适量的纳米材料，保持原聚酰亚胺薄膜的厚度薄、电气性能优异、耐热等级高、机械强度高、化学稳定性好等优点，并赋予了新的高耐电晕性能。依据查阅的国内外耐电晕聚酰亚胺薄膜相关的文献,重点综述了国内耐电晕聚酰亚胺薄膜的研究进展,同时简要的介绍了国外耐电晕聚酰亚胺薄膜品种的发展及其应用领域。表明其是一种性能优异、具有广泛应用前途的复合材料,但尚存在许多需进一步深入研究的问题。 关键字：聚酰亚胺薄膜 耐电晕 纳米材料 引言： 聚酰亚胺薄膜是聚酰亚胺最早的商品之一, 在电工行业主要用于电机的槽绝缘以及电线电缆的包覆材料。聚酰亚胺薄膜是目前耐热性最好的有机薄膜, 可在555℃短期内保持其物理性能, 长期使用温度达200℃以上。不仅如此, 聚酰亚胺薄膜的电气性能、耐辐射性能和耐火性能也十分突出。在高新技术的发展中, 特别是航空航天工业、电子电气工业和信息产业的发展中, 聚酰亚胺薄膜发挥了非常重要的作用。但聚酰亚胺由于其本身是有机高聚物, 耐电晕性不高, 这就限制了它在高压发电机、高压电动机、脉宽调制供电的变频电机等工业上的应用。 无机纳米氧化物在提高聚酰亚胺薄膜耐电晕性能方面所起的作用： 在传统聚合物材料中填充一定量的无机纳米材料，如SiO2、Ti02、Al2O3，以及层状硅酸盐等，可使其耐电晕老化性能得到大幅度提高。 李鸿岩等针对纳米粒子对聚酰亚胺薄膜电晕老化形态的影响进行了研究，采用高分辩率光学显微镜比较了聚酰亚胺(PI)薄膜和纳米Al2O3，填充聚酰亚胺薄膜在相同条件下的老化形貌，发现纯PI表面老化形态早期为山谷状．随着时间的延长山谷的深度增加，最终形成凹坑；而PI—Al2O3，复合薄膜则呈浅凹坑状，随着老化的进行最终发展成浅的由纳米粒子组成的蜂窝状孔洞．且老化速度显著降低。 衷敬和等以甲基三乙氧基硅烷为无机前驱体原位产生二氧化硅(SiO2)粒子，并以3一氨丙基三乙氧基硅烷为偶联剂制备了PI／SiO2杂化薄膜。结果表明，无机组分的引入对杂化PI／SiO2薄膜的耐电晕性能产生很大的影响，薄膜的耐电晕性能随SiO2，含量的增加而提高；偶联剂的引入对无机粒子的分散、两相相容性，以及界面形态具有明显的改善作用，对薄膜耐电晕性能的改善更为明显，并提出了一个耐电晕模型。然而原位聚合时有机硅单体在聚酰胺酸溶液中完全有可能以部分水解的分子状态存在，这与采用A12O3的情况有很大的区别，其结构与耐电晕性能之间的关系差别很大，相比之下单纯的SiO2，对耐电晕性的改善幅度很小。 2、国内耐电晕聚酰亚胺薄膜研究现状： 我国在该领域起步较晚，工业化产品在耐电晕性能方面与国外大公司(如杜邦、飞利浦道奇)的产品存在较大的差距，仍需要进行更全面、深入地研究。 目前国内生产的耐电晕聚酰亚胺薄膜为F46复合薄膜( HF FHF) , 是由耐电晕聚酰亚胺薄膜单面或双面涂敷聚全氟乙丙烯树脂经高温烧结而成。综合了耐电晕聚酰亚胺薄膜和氟塑料的特点,高的耐电晕性能及导热性能、耐高低温、耐辐射、电气性能优越、尺寸稳定, 同时具备自粘性。可在-80～ + 260 ℃的温度范围内长期使用。广泛地应用于H～ C 级耐电晕牵引电机、发电机和特种电机的电磁线的绕包绝缘, 耐电晕寿命≥50 h。虽然国内耐电晕聚酰亚胺薄膜制品的关键性能仍低于杜邦公司的产品水平, 但实验室阶段的研究已取得一定的进展。 李鸿岩等采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米Al2O3复合材料, 并采用透射电子显微镜(TEM) 对纳米Al2O3的分散状态进行了表征。研究表明, 随着纳米Al2O3含量的增加, 材料的耐电晕性能显著增强, 在±910V (双极性)、15 kHz 条件下,纳米Al2O3质量分数为20% 的聚酰亚胺( PI) 薄膜的耐电晕寿命达到极大值, 为纯PI 薄膜寿命的25倍, 聚酰亚胺/ 纳米Al2O3复合材料的体积电阻率和电气强度没有明显的劣化, 而相对介电常数和介质损耗因数有所增加。他们还采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米TiO2复合材料。通过透射电镜研究了纳米TiO2粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态, 并在此基础上研究了纳米TiO2添加量对该复合材料介电性能的影响。结果表明, 随着纳米TiO2含量的增加, 聚酰亚胺/ 纳米TiO2复合材料的体积电阻率和电气强度出现不同程度的劣化, 并造成了介电常数和介质损耗因数的增加, 但是材料的耐电晕性能显著增强, 在12MV/m 的电场强度下, 纳米TiO2含量为15%的PI 薄膜的耐电晕寿命为纯PI薄膜的40 多倍。 孙志等对耐电晕聚酰亚胺薄膜的表面电荷特性进行了研究，采用 EFM 的导电探针在聚酰亚胺薄膜表面注入电荷,并对产生的电荷进行原位表征,