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* 解 ③ 改用线选法A15~A13 3根地址线各选一片8K×8的存储器芯片,只能接3个芯片,故仅能组成容量为24K×8的存储器, A15 A14 3所选芯片的地址范围分别为:和 A15 6000H~7FFFH、 A14 A000H~BFFFH和 A13 C000H~DFFFH。 * 程序存储器扩展实例思考: MCS-51单片机与一片2764芯片的接口中,为什么片选信号可以直接接地?它的地址范围还可以是多少? * 常用的数据存储器: 静态RAM静态RAM在应用时存取速度快、使用方便并且价格比较的低廉。但它具有在掉电时,内部的数据会丢失。典型的有6116、6264、62256等芯片。为了避免掉电数据丢失,出现了自动保护的静态RAM,如:DS1225、DS1235。 串行EEPROM串行EEPROM的与并行的EEPROM特性一样,只是在数据的读写使用串行方式。常用的有24Cxx系列(I2C接口)和X25系列(SPI接口)的串行EEPROM。 6.3 数据存储器的扩展 * (1)静态RAM 不同容量的静态RAM只是在地址线的数目和编程信号引脚有一点区别,各重要的引脚含义如下: A0-Ai:地址输入线,决定存储器的容量; I/O0-I/O7:双向三态数据线; CE:片选信号输入线; OE:读选通输入信号线; WE:写选通输入信号; VPP:编程电源输入线; VCC:工作电源输入线(常为+5V); GND:工作时接地线。 * 6264 62256 常用的静态RAM芯片引脚封装示意图 型号:6264 前两位数62, 表示SRAM 后两位64÷8=8k字节容量 62128 有128÷8=16k 字节容量 62256 有256÷8=32k 字节容量 * 二、串行ROM 不同容量的串行ROM存储容量上有区别,各重要的引脚含义如下: A0、A1、A2:芯片的地址输入线; SDA:串行数据输入端; SCL:串行时钟输入端; RESET:复位信号输入; WP:写保护输入端,为低电平时不允许写数据; SCK:串行时钟输入端; SI:串行数据输入端; VCC:工作电源输入线(常为+5V); GND:工作时接地线。 * AT24Cxx X25043 AT24CXX和X25043的芯片引脚封装示意图 * 2、 RAM存储器的连接 DB0~n AB0~N D0~n A0~N ABN+x CS R/ W R/ W 微型机 存储器 存储器与微型机三总线的连接: 1)数据线 D0~n 连接数据总线 DB0~n 2)地址线 A0~N 连接地址总线低位AB0~N。 3)片选线 CS 连接地址总线高位ABN+x。 4) 读写线OE、WE(R/W) 连接读写控制线RD、WR。 * 例1 某微机系统只有一片6264,试将其与8051进行连接。 ALE RD WR PSEN P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.6 P0.7 89C51 P2.0 P2.1 P2.2 P2.3 P2.4 P2.5 P2.6 P2.7 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 OE LE D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 74LS373 DB AB CB A0 A12 CS1 OE ~ D0 D7 6264 ~ ~ ~ AB12 AB0 AB0 AB15 AB12 ①将芯片的13位地址线按引脚名称一一并联,然后按次序逐根接至系统地址总线的低13位。 ②将芯片的8位数据线依次接至系统数据总线的D0-D7。 ③芯片的OE端接至系统控制总线的存储器读信号(RD) ④芯片的WE端接至系统控制总线的存储器写信号(WR) ⑤因为系统中只有1片6264,所以6264的CS1可以接地。 CS2 +5V WE * ALE RD WR PSEN P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.6 P0.7 89C51 P2.0 P2.1 P2.2 P2.3 P2.4 P2.5 P2.6 P2.7 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 OE LE D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 74LS373 DB AB CB AB12 AB0 AB0 AB15 AB12 计算6264每个单元的地址(8051送出何种地址码时选中该单元) P27 P26 P25 P24 P23 P22 P21 P2 0 P07 P06 P05 P04 P03 P02 P01 P00 AB15AB14 AB13 AB12 AB11 AB10 AB9 AB8 AB7 AB6 AB5 AB4 AB3 AB2 AB1 AB0
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