电池简介01.18讲解.pptx

太阳电池简介 2 目录 太阳电池发展史 太阳电池分类与应用简介 晶体硅太阳电池制备过程简介 系统制备简介 专业术语 3 风能： 地球表面空气流动所形成的动能，以各种锋利发电站为代表。 水能： 天然水流蕴藏的位能、压能和动能等能源资源的统称，以各类水电站为代表。 核能： 利用核反应堆中链式核裂变反应所释放的能量发电。以各类核电站为代表。 太阳能：一般是指太阳光的辐射能量，在现代一般用作发电 其他：沼气能，地热能 以太阳能为代表的新能源 太阳电池优点 1 太阳能的广泛性太阳辐射到处皆是就地可用不受地域限制可算是取之不尽用之不竭 2 建设周期短规模大小随意可以方便地与建筑物结合只要一次投资设备建成之后平时的维持费用远低于其它能源 3 无噪声无污染化石能源燃烧时会放出大量的各种气体如CO2 等 4 5 1839 年法国Becqeral 第一次在化学电池中观察到光伏效应 1876 年在固态硒Se 的系统中也观察到了光伏效应随后开发出Se/CuO 光电池 1954 年开发出效率为6%的单晶硅光电池现代硅太阳，电池时代从此开始 1959 年第一块有实用价值的太阳电池诞生 太阳电池发展史 6 按电池结构划分：晶体硅太阳电池和薄膜太阳电池扩散温度 按基本材料划分：硅太阳电池、化合物太阳电池、燃料敏化电池和有机薄膜电池 太阳电池分类 7 太阳电池应用-卫星 8 太阳电池应用-电站 9 太阳电池应用-日常应用 10 硅片的原料是硅料 晶体硅片简介 多晶硅锭 11 多晶硅片 12 晶体硅太阳电池制备过程简介 13 晶体硅太阳电池制备过程简介 光伏效应： “光生伏特效应”，简称“光伏效应” 英文名称：Photovoltaic effect。 定义：指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。 14 硅锭的铸造过程 单晶硅 硅片表面的机械损伤层的来源 利用低浓度酸液对晶体硅在的腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成蜂窝状凹陷； 反应式为： HF+Si+HNO3+H2O →HFXSi +HFOY +2NX O↑ 硅片表面织构化—多晶制绒 利用低浓度碱液对晶体硅在的腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成金字塔形结构； 反应式为： NAOH+Si+H2O →NASiOY +H2↑ 硅片表面织构化—单晶制绒 18 硅片表面织构化—多晶制绒 扩散制结 20 扩散制结的目的—太阳电池的核心 21 扩散制结的工艺示意图 22 POCl3在高温下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下： 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下： 三氯氧磷扩散原理 23 三氯氧磷扩散原理 POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 。 24 在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。 方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个重要参数。 方块电阻 周边刻蚀 26 利用低浓度酸液对晶体硅在的腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成蜂窝状凹陷； 反应式为： Si+HNO3+H2O +HF→HFXSiOY +2NX O↑ 周边刻蚀-去PSG PECVD 28 PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积，其它的有HWCVD，LPCVD，MOCVD等。 PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 PECVD的概念 SiH4+NH3O→HSIY NX +H↑ 29 直接式—基片位于一个电极上，直接接触等离子体 PECVD的种类 30 间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子） 1 PECVD的种类 31 硅烷是极易燃易爆压缩气体，且有毒 氨气在钢瓶中液态存储，有毒，可燃 PECVD的设备使用安全注意事项 印刷烧结 33 丝网印刷是把带有图像或图案的模版被附着在丝网上进行印刷的。 丝网印刷原理 34 背电极印刷及烘干 浆料：Ag /Al浆 背电场印刷及烘干 浆料：Al浆 正面电极印刷及烘干 浆料：Ag浆 晶体硅太阳电池的丝网印刷 35 铝背场形成良好的欧姆接触，铝浆料和银浆料有细栅线的重叠部分，这样可以大大提高效率 背面印刷图案的设计 36 L C W 正面印刷图案的设计—模拟图案 37 干燥硅片上的浆料，燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。 烧结的目的 测试分选 3