激光调制技术习题.docVIP

3．对于3m晶体LiNbO3，试求外场分别加在x,y和z轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟（这里只求外场加在x方向上） 解：铌酸锂晶体是负单轴晶体，即nx=ny=n0、nz＝ne 。它所属的三方晶系3m点群电光系数有四个，即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为： 由此可得铌酸锂晶体在外加电场后的折射率椭球方程为： （1） 通常情况下，铌酸锂晶体采用450－z切割，沿x轴或y轴加压，z轴方向通光，即有Ez=Ey=0,且Ex≠0。晶体主轴x,y要发生旋转，上式变为： （2） 因，且光传播方向平行于z轴，故对应项可为零。将坐标轴绕z轴旋转角度α得到新坐标轴，使椭圆方程不含交叉项，新坐标轴取为 ，z=z’ （3） 将上式代入2式，取消除交叉项，得新坐标轴下的椭球方程为： （4） 可求出三个感应主轴x’、y’、z’（仍在z方向上）上的主折射率变成： （5） 可见，在x方向电场作用下，铌酸锂晶体变为双轴晶体，其折射率椭球z轴的方向和长度基本保持不变，而x,y截面由半径为n0变为椭圆，椭圆的长短轴方向x’ y’相对原来的x y轴旋转了450，转角的大小与外加电场的大小无关，而椭圆的长度nx，ny的大小与外加电场Ex成线性关系。 当光沿晶体光轴z方向传播时，经过长度为的晶体后，由于晶体的横向电光效应（x-z），两个正交的偏振分量将产生位相差： （6） 若为晶体在x方向的横向尺寸，为加在晶体x方向两端面间的电压。通过晶体使光波两分量产生相位差（光程差/2）所需的电压，称为“半波电压”，以表示。由上式可得出铌酸锂晶体在以（x-z）方式运用时的半波电压表示式： （7） 由（7）式可以看出，铌酸锂晶体横向电光效应产生的位相差不仅与外加电压称正比，还与晶体长度比/有关系。因此，实际运用中，为了减小外加电压，通常使/有较大值，即晶体通常被加工成细长的扁长方体。 4．一块45度-z切割的GaAs晶体，长度为L，电场沿z方向，证明纵向运用时的相位延迟为。 解：GaAs晶体为各向同性晶体，其电光张量为： （1） z轴加电场时，Ez＝E，Ex=Ey=0。晶体折射率椭球方程为： （2） 经坐标变换，坐标轴绕z轴旋转45度后得新坐标轴，方程变为： （3） 可求出三个感应主轴x’、y’、z’（仍在z方向上）上的主折射率变成： （4） 纵向应用时，经过长度为L的晶体后，两个正交的偏振分量将产生位相差： （5） 5. 何为电光晶体的半波电压？半波电压由晶体的那些参数决定？ 答：当光波的两个垂直分量、的光程差为半个波长（相应的相位差为）时，所需要加的电压，称为“半波电压”，通常以或表示。 半波电压是表征电光晶体的一个重要的参数，这个电压越小越好，特别是在宽频带高频率的情况下，半波电压越小，需要的调制功率越小。晶体的半波电压是波长的函数。 由上式可知，半波电压还跟0和有关。 6．在电光晶体的纵向应用中，如果光波偏离z轴一个远小于1的角度传播，证明由于自然双折射引起的相位延迟为，式中L为晶体长度。 解：，得 自然双折射引起的相位延迟： 7. 若取vs=616m/s，n=2.35， fs=10MHz，(0=0.6328(m，试估算发生拉曼-纳斯衍射所允许的最大晶体长度Lmax=? 解：由公式计算。 由公式计算=3.523mm 8 利用应变S与声强Is的关系，证明一级衍射光强I1与入射光强I0之比为（近似取） 解答： 由： ， 由 得 将代入得 9 考虑熔岩石英中的声光布喇格衍射，若取，n=1.46，，，计算布喇格角。 思路分析：根据公式求解，过程如下： 解： 代入公式得： 代入数据得： 由于很小，故可近似为： 1. 一纵向运用的KDP电光调制器，长为2cm，折射率n=2.5，工作频率为1000kHz。试求此时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。 解： =0.167nS 渡越时间为：(d=nL/c 相位延迟因子： 2. 在电光调制器中，为了得到线性调制，在调制器中插入一个(/4波片，波片的的轴向如何设置最好？若旋转(/4波片，它所提供的直流偏置有何变化？ 答：其