半导体问题整理(前六章).pdf

半导体物理问题总结 整理：潘誉 日期：2014.1.2 1. 什么是有效质量？它的意义是什么？ 在晶体中移动的电子与在真空中的不同。晶体中的质子，离子与其他电子将产生内力影响电 子的运动。在外加力场的情况下，电子受到的合力： 由于内力极其复杂，若可以将晶体的内力考虑到电子的静止质量m 中，那么有效质量可以 表达为： 但是，类似真空中的电子，位于导带底的电子在考虑量子力学的性质与晶体内力作用的效应 后有如下公式： 2. 空穴的概念？引入空穴的物理意义？ 当T ＞0 时，有价带中的电子激发到导带，使价带中出现空的状态。这时，价带中的填充的 电子集体运动产生的漂移电流为： 而这种集体运动等价于在满带电流再加上带正电荷的空状态所产生的电流： 由于满带的对称性，满价带电子运动不显现出宏观电流： 故价带电子集体运动的净（net）效果就等价于带正电的空状态（空穴）所产生的漂移电流： 3. 半导体与金属导体的主要区别是什么？ 能带结构的不同（半导体没有半满带而金属有）决定了它们载流子的种类与浓度的不同，而 这直接影响了它们的电阻率随温度变化趋势也不同。 4. 金属、半导体与绝缘体的能带结构有什么区别？ 5. 实际半导体与理想半导体的区别？ 理想半导体拥有完美的晶体结构，没有任何本征缺陷 （vacancies, interstitials ），也没有多 余的杂质原子，是相当纯净的晶体。因此在带隙中没有任何缺陷能级，载流子只能通过能带 间的跳跃来激发，故也没有载流子的捕获中心，只能通过晶格的振动来造成载流子的散射。 6. 什么是施主能级、施主杂质电离和n 型半导体？ 若位于施主能级上的电子获得一定的热，被激发到导带中，便留下了一个带正电的磷离子。 导带中的电子可以在晶体中运动形成电流，而磷离子只能束缚在晶格上。这种能产生电子到 导带的原子便是所谓的施主杂质原子。电子被激发时没有产生空穴，并使这块材料成为 n 型半导体。 7. 什么是受主能级、受主杂质电离和P 型半导体？ 类似问题6，但值得一提的是因为热激发而从价带跳跃到那些空着的受主能级的电子到并不 具有足够的能量可以达到导带，故只产生了一定数量的空穴与带负电的硼离子。 8. 什么是杂质的补偿作用？实际应用中有何作用？ 如果半导体中具有等数量的施主与受主，那么由前者提供的电子将会去填补有后者产生的断 键，掺杂并没有产生任何自由的载流子，这种无奈的现象叫补偿（compensation ），经常发 生在PN 结中。然而，部分补偿（counterdoping ）可以让那些该死的器件制造商们反复地改 变材料局部的类型，这种方法在制作PN 结时常用且很成功。不过补偿却常使电子与空穴的 迁移率下降。 9. 为什么杂质能级总是距离导带底或者价带顶比较近？ 杂质离子对电子束缚能量很弱，因而其电离能相对带隙宽度就很小了。另外，依据玻尔的氢 原子模型就可以得到电离能的大小与施主电子的运动半径： 以下是电离能的实验数据： 10. 什么费米分布和玻尔斯曼分布？各自使用的条件是什么？ 单位能量单位体积上的粒子数 N(E)与单位能量单位体积上的量子态数的比值就是费米概率 分布函数的表达式： 它给予了我们电子在能级为E 的量子态上占据的概率。 当 时，分母上的1 就被无视了，费米分布变成玻耳兹曼分布。 这两者的关系在下图有所表示： 11. 电子浓度和空穴浓度的乘积与那些因素有关？ 是否与材料性质有关？ Law of mass action （与Femi 能级无关）： 其中，导带底与价带顶的有效态密度为 式中的有效质量，带隙宽度都与材料有关。 12. N 型半导体在各个温度区间的电中性条件是什么？ 低温弱电离区：n =n + ＜N 0 D D 中间电离区：n =n +=(1/3)N 0 D D 强电离区：n =n +=N 0 D D 过渡区：n = N +p 0 D 0 高温本征激发区：n = N +p ，但由于N ＜＜n 与p ，故可认为n = p 。 0 D 0 D 0 0 0 0 13. 电离杂质散射的主要机制？与温度的关系？ 半导体中的杂质在室温下就能电离，这样晶体中就