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第一章 半导体器件 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V 恒压降模型（波形如图所示）。 uiUREF+Uon时，二极管反偏截止，相当于开路，回路无电流，uo=ui； UiUREF+Uon时，二极管正偏导通，相当于短路，uo= UREF+Uon； 五. 稳压二极管 稳压二极管是工作在反向击穿区的一种特殊二极管(伏安特性如图)。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下，工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时，其两端电压近似为常数。 由于稳压二极管工作在反向击穿区，故二极管一般反向接入电路。 反偏电压≥UZ；反向击穿。 正向同二极管 稳定电压 + UZ _ 稳压二极管的主要参数 1. 稳定电压 UZ ——流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ ——越大稳压效果越好，小于 Izmin 时不稳压。 3. 最大耗散功率 PZM；最大工作电流 IZM（ Izmax） P ZM = UZ IZM 4. 动态电阻 rZ_——稳压区，端电压变化量与其电流量变化之比。 rZ = ?UZ / ?IZ （几 ? ? 几十 ? ）越小稳压效果越好。 5. 电压温度系数?——稳压值受温度变化影响的的系数。 稳压二极管的应用举例 稳压管的技术参数: 负载电阻RL＝600Ω，求限流电阻R取值范围。 解：由电路可得： + UZ - IZ DZ R IL IR + Ui - RL 15V 六. 其它类型的二极管 1. 发光二极管 LED 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 应用：半导体光源。 2. 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 应用：光电检测。 符号 符号 1.3 半导体三极管 半导体三极管又称晶体三极管，简称晶体管或三极管。在三极管内，有两种载流子：电子与空穴，它们同时参与导电，故晶体三极管又称为双极型三极管，简记为BJT（英文Bipo1ar Junction Transistor的缩写）。它的基本功能是具有电流放大作用。 三极管属于电流控制型器件。 一. 三极管的结构及分类 N N P 集电极 c 基极 b 发射极 e NPN P P N 集电极 c 基极 b 发射极 e PNP 符号: 注：符号中箭头的方向表示发射结正偏时发射极电流的方向。 基区，电极称为基极 b（Base） 发射区，电极称为发射极 e（Emitter） 集电区，电极称为集电极 c（Collector） 集电结Jc 发射结Je 三极管结构特点： 为了保证三极管具有良好的电流放大作用，在制造三极管的工艺过程中，必须作到： 使发射区的掺杂浓度最高，以有效地发射载流子； 使基区掺杂浓度最小，且区最薄，以有效地传输载流子； 使集电区面积最大，且掺杂浓度小于发射区，以有效地收集载流子。 以上三条实际上是三极管放大作用的内部条件。 二. 三极管的放大作用 1. 基本概念： （1）放大的含义（实质）：用较小的量控制较大的量。 （2） 三极管放大电路的基本连接方法： 共发射极电路 共基极电路 共集电极电路 共发射极接法 c区 b区 e区 （3） 三极管放大作用的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态： 发射结正偏： + UCE － ＋ UBE － ＋ UCB － 集电结反偏： 由VBB保证 由VCC、 VBB保证 UCB=UCE - UBE 0 Rc Vcc Rb Vbb （1）发射区向基区注入电子； 因为发射结正偏，所以发射区向基区注入电子 ，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。 所以发射极电流I E = I EN + IEP ≈ I EN 。 （2）电子在基区中扩散与复合； 发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，复合掉的空穴由电源Vbb提供，形成IBN。所以基极电流I B ≈ I BN 。大部分到达了集电区的边缘。 2. BJT内部的载流子传输过程 Rc Vcc Rb Vbb （3）集电区收集扩散过来的电子。 因为集电结反偏，收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN 。另外，集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 3．电流分配关系 从内部看： 从外部看： 动画演示 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定。 4. 三极管的电流放大系数 电流ICN与IB之比称为共射直流电流放大系数 。 ICEO(穿透电流)——基极开路