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半导体二极管和三极管40南京航空航天大学机械考研初试464646
. 南京航空航天大学 . 第一章 半导体二极管和三极管 一、半导体二极管 R 1、考虑正向导通压降UD = 0.6V 2、忽略正向导通压降UD = 0（理想二极管） . 3、含理想二极管的电路的计算 (1)若只有一个二极管,将二极管D开路，计算其两端的开路电压UD，若UD0，则D导通，反之D截止。 例：已知 ，画 的波形。 R D E R UD E + . 例：已知 ，画 的波形。 R D E 考虑：画电阻两端电压的波形？ . 输出电压的最大值？ . R D U + uo的波形 . (2)如果电路中有多个二极管，将各个二极管开路，求它们两端的开路电压UD，开路电压大的二极管优先导通，此时导通的二极管相当于短接，再用相同的方法判断其他二极管的工作状态。 例：求输出电压U0 D1 D2 + + + 9V 3V 6V UD1 + + + 9V 3V 6V + UD2 + . D1 D2 + + + 9V 3V 6V D1 + + + 9V 3V 6V . U1=10V，ui =40sinωtV uD1 =ui uD2 =－U1 . 二、稳压管（一种特殊硅二极管） 1、正向接法（同普通二极管） 2、反向接法 . I R DZ 画出输出电压的波形 t uo 0.6V 5V t ui . 三、半导体三极管 放大区：发射结正偏，集电结反偏 截止区：发射结反偏，集电结反偏 饱和区：发射结正偏，集电结正偏 C B E P N P 放大区 . 2、晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。 (a)发射结反偏，集电结正偏 (b)发射结、集电结均反偏 (c)发射结、集电结均正偏 1、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（ ）。 (a) VEVB，VCVB，VEVC (b) VEVB ， VC VB ， VE VC (c)??VB VE， VB VC ， VE VC 南京航空航天大学 * * * *
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