曝光机要点技术讲义.ppt

1) 曝光机的光谱 波长(nm) 光相对强度(%) 波长(nm) 光相对强度 (%) 300mmⅹ400mm 基板用lens 200mmⅹ200mm 基板用lens 2) 曝光量及照度实测值 区分 设定值 实测值 Filter - 無 UV-31 UV-33 UV-35 曝光量 (mJ/cm2) 50 55.9 50.8 49.2 42.4 100 108.5 97.4 94.6 81.3 150 160.3 144.7 139.8 122.1 照度 - 19.3 17.2 16.7 14.3 300mmⅹ400mm 基板用LENS 区分 设定值 实测值 Filter - 無 UV-31 UV-33 UV-35 曝光量 (mJ/cm2) 50 52.8 47.9 46.6 40.7 100 103.0 93.3 91.8 79.2 150 151.1 138.3 134.1 117.3 照度 - 31.8 29.0 28.1 24.5 200mmⅹ200mm基板用LENS 303nm j-Line 313 334nm i-Line h-Line g-Line 无filter 无filter 曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响 3) 波长 vs. PS 高度 未使用 曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响 4) 显影后 PS 形象 未使用 未使用 照度 使用Filter 曝光工艺要素技术曝光对 PS的 影响 ? Air Bubble 原因 : Assay时 液晶不足 C/F 基板和 TFT 基板之间形成空间 PS 高度比基准高度高时 措施 : 减少Coater 吐出量 缩短曝光 Gap Post-Bake 再进行 ? 重力不良 原因: Assay时 液晶量过多 C/F 基板和 TFT 基板之间 Swelling引起. PS 高度比基准高度低 措施: 增加Coater 吐出量 拉大 曝光Gap [由PS Height 变化引起的 液晶不良的发生] 曝光工艺要素技术 PS高度及Size 1 2 3 4 5 6 7 8 9 11 12 10 ① ② 0.2μm 0.4μm Top Dx Bottom Dx ? PS 高度 测定方法 在Blue Red Pattern Base上测定PS 高度 ? PS Size 测定方法 计算PS 高度 结合高度%进行Size 测定 ? PS 高度及 Size 测定位置 PS 测定位置 按照 Cell别 存在差异 Cell 多 -每 Cell 1 Point Cell 小 - 每Cell 2~3 Point ?? Cell 工程 Recipe 协议 预定 曝光工艺要素技术 PS高度及Size 根据PS 位置精度 有可能影响PS 高度的变化 作为支持 TFT / CF的 隔垫物 如位置不准确 会使TFT 信号 LINE发生问题 3 SHOT 4 SHOT 2 SHOT 1 SHOT Y : 29.75±3um X : 18.75±3um ? PS 位置 测定 位置 曝光机 Shot别 测定角落 4部分 ? PS 位置 测定 方法 利用Review Image X50 测定 测定地点 曝光工艺要素技术 PS高度及Size EXP Gap---size EXP dose---size PS SIze EXP Dose PS SIze EXP Gap 曝光工艺要素技术 PS高度及Size EXP Gap---Height PS Height EXP Gap PS Height EXP Dose 不稳定区域 稳定区域 EXP dose---Height Recovery Spec : 70% 以上 [由于PS 回复率变化引起的液晶不良发生] ? 液晶 敲打 不良 原因 : Photo Spacer 弹性检查以后 无法PS的现象 措施 : PS Size变更 PS 曝光量 变更 PS Main - Sub 差异 进行管理 Photo Spacer的物理特性的确认 ( 弹性 , 确认恢复的部分 ) 用物理性弹性 保护基板. 曝光工艺要素技术 PS Hardness D1-D2(recovery length) Indentation de