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新世纪led论坛 /index.aspx 第2章 LED的封装原物料 苏永道 教授 济南大学 理学院 §2.1 LED芯片结构 LED的封装工艺有其自己的特点。对LED封装前首先要做的是控制原物料。因为许多场合需要户外使用，环境条件往往比较恶劣，不是长期在高温下工作就是长期在低温下工作，而且长期受雨水的腐蚀，如LED的信赖度不是很好，很容易出现瞎点现象，所以注意对原物料品质的控制显得尤其重要。 LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件，它主要由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。 ＆ 芯片按发光亮度分类可分为： ☆ 一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、 G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等； ☆ 高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； ☆ 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。 ＆ 芯片按组成元素可分为： ☆ 二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等； ☆ 三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等； ☆ 四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色 AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。 ＆ 发光二极管芯片制作方法和材料的磊晶种类： 1.LPE： 液相磊晶法 GaP/GaP； 2.VPE： 气相磊晶法 GaAsP/GaAs； 3.MOVPE：有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN； 4.SH：单异型结构 GaAlAs/GaAs； 5.DH：双异型结构 GaAlAs/GaAs； 6.DDH：双异型结构 GaAlAs/GaAlAs。 不同LED芯片，其结构大同小异，有外延用的芯片基板( 蓝宝石基板、碳化硅基板等) 和掺杂的外延半导体材料及透明金属电极等构成。 §2.1.1 LED单电极芯片 图2.1 单电极芯片结构示意图 D E F C A H I B A G G J 电极直径 J n型结晶基板 E 电极厚度 I n层 D 芯片高度 H p层 C 芯片尺寸（长×宽） G 发光区 B n极金属层 F p极金属层 A 说明 代码 说明 代码 单电极芯片结构代码含义 §2.1.2 LED双电极芯片 J H I G M N G A B C ED F K L H L 双电极芯片结构示意图 芯片尺寸（长） I 低温缓冲层 B n极金属层 H 蓝宝石基板 A 说明 代码 说明 代码 双电极芯片结构代码含义 n极电极直径 N p极金属层 G p极电极直径 M 透明导电层 F 电极厚度 L p型接触 E 芯片高度 K 发光层 D 芯片尺寸（宽） J n型接触 C J H I G M N G A B C ED F K L H L 双电极芯片结构示意图 §2.1.3 LED晶粒种类简介 GaAs/GaAs AlGaAs/GaAs AlGaAs/AlGaAs 850nm~940nm 红外线 不可见光 GaInN/Sapphire 455nm~485nm 高亮度蓝 GaInN/Sapphire 490nm~540nm 高亮度蓝绿/绿 AlGaInP/GaAs 高亮度绿 GaP/GaP 555nm~560nm 绿 AlGaInP/GaAs 高亮度黄绿 GaP/GaP 569nm~575nm 黄绿 AlGaInP/GaAs 高亮度黄 GaAsP/GaP 585nm~600nm 黄 AlGaInP/GaAs 高亮度橙 GaAsP/GaP 605nm~622nm 橙 AlGaInP/GaAs 630nm~645nm 高亮度红 AlGaAs/GaAs 645nm~