相变存储薄膜的纳米压痕及摩擦性能研究.pdfVIP

第六届佥目袁．面工程学术,t,--tt 兰州 2006年8月 相变存储薄膜的纳米压痕及摩擦性能研究 丁建宁解国新 (江苏大学微纳米技术研究中心，江苏镇江212013) 摘要：利用电子回旋共振CVD设备制备了GeSbTe薄膜，并用纳米硬度计考察了其抗压性能，同 时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性．结果表明：GeSb2Te4膜的微观 抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强；对于90rim厚度的GeSb2Te4来说，施加1000iN左右的载 和针尖粘附的影响没有GeSb2Te4明显，而且粘附力的存在会造成摩擦系数的改变。 关键词：GeSbTe膜机械性能摩擦性能 0前言 自70年代左右Ovshinsky等n1首次报道硫系合金薄膜可用于相变光数据存储以来，人们已研制 出多种有前途的记录介质，其中以GeSbTe系半导体材料最具代表性。利用原子力显微镜(AFM) 对此种材料诱导相变来进行数据读写是一种全新的信息存储方式【2J，它是用尖锐的探针在GeSbTe 膜表面扫描，并在针尖和薄膜之间施加脉冲电压来改变薄膜介质局部区域的电学特性，使其在高阻 态和低阻态之间进行转换从而形成对基本存储信息位的写入和擦除，并通过探针针尖在很高的信噪 比下来检测这种变化。 虽然很多文献介绍了这种半导体材料的光学和电学性能【3-5】，然而其力学机械性能却报道较少， 考虑到利用AFM探针诱导相变存储是一种接触式的存储方式，因此在研究此种合金电致相变的同 时，有必要对其抗压和摩擦等力学性能进行考察。本文主要利用纳米硬度计和摩擦力显微镜来研究 GeSbTe薄膜的机械性能和摩擦性能，期望以此为研究AFM相变存储特性和相变探针存储阵列的动 力学特性模拟提供依据。 1实验部分 米硬度计(NnT)和原子力显微镜(AFM)，另外还附有光学显微镜。纳米硬度计由一个压头和对样 品进行选位以及压后观察压痕的光学显微镜组成。其工作原理为通过三板电容式传感器实现静电力 激励给由两导向弹簧支撑的压杆施加载荷，而压杆的另一头装有标准的维氏金刚石压头，并且压杆 的位移也用此电容传感器测量。整个系统的最小载荷力小于100nN，加载力分辨率小于lnN，可以 实现测量小于100nm厚的超薄膜和多层复合膜的力学特性；对GeSbTe薄膜进行摩擦实验是在美 国DI公司的NanoScopeIII扫描探针显微镜(sPM)上进行的，利用其侧向力显微镜(LFM)模块实现 对样品纳米级摩擦特性的研究，通过对探针接触扫描过程弯曲信号和扭转信号进行量化，就可得到 外加载荷和侧向力信号(可近似的看作为摩擦力)的数值。 实验中的GeSbTe薄膜是利用电子回旋共振CVD设备的射频溅射方法制备的。将待用的si片 放人沉积室，抽真空至5x103Pa,用氩离子束高压轰击清洗试样后，设定好工艺参数溅射预定厚度的 别为GSTl,-～GST3，具体参数见表l，薄膜的膜厚均用AFM测得。在用压痕测薄膜的硬度和弹性模量 时，为了取得可靠的结果，对同一样品重复4次实验，然后求其平均值。所有的实验均在大气环境 下完成。 第六届全国表面工程学术．会彀 兰州 2006年8月 2实验结果与讨论 2．1GeSbTe膜的抗压性能 表1不同C_mSbTe薄膜的技术数据 I--GST 从表1不难看出同一溅射条件下得到的GeSb2Te4膜中GST3膜的硬度值和弹性模量随 膜厚的增加而增大，换言之，薄膜的抗压入载荷能力随着膜厚的增加而增强。这可能镀膜过程中产 生内应力有关，在溅射时，能量较高的离子不断注入表面层会引起的压应力，而且镀膜过程中形成 的微空洞等缺陷也会试图收缩表面引起的张应力。显然，随着膜厚的增加，这些内应力也会不断增 大，过大的内应力会使薄膜出现宏观裂缝或使薄膜从衬底剥落。 GST 图I不同载荷下的GST2膜的载荷和位移曲线 图2 2膜不同载荷压痕后的形貌图 Indent