1 固态传感器-磁敏.pptVIP

（2）磁电特性 测试电路按图示连接，在弱磁场(B=0.1T以下)时输出电压变化量与磁感应强度成线性关系，随磁场的增加曲线趋向饱和。 正向磁灵敏度大于反向磁灵敏度。 ΔU/V T/℃ 0 20 40 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 E=6V B = 0.1T 80 60 -20 I/mA -5 -4 -3 -2 -1 I 磁敏二极管温度特性曲线 (单个使用时) ΔU （3）温度特性 温度特性是指在标准测试条件下，输出电压变化量 ?U或无磁场作用时两端电压U0随温度变化的规律。 （3）温度特性 磁敏二极管受温度的影响较大。反映温度特性好坏，可用温度系数表示。 硅磁敏二极管在标准测试条件下，U0的温度系数小于±20mV／℃，?U的温度系数小于0.6%/℃。 而锗磁敏二极管U0的温度系数小于-60mV／℃，?U的温度系数小于1.5%/℃。 规定硅管的使用温度为-40～＋85℃，而锗管则现定为-40～＋65℃。 （4）频率特性 dB 0.1 -12 -9 -6 -3 0 10 1 0.01 锗磁敏二极管频率特性 f/kHz （4）频率特性 硅磁敏二极管的响应时间，几乎等于注入载流子漂移过程中被复合并达到动态平衡的时间。所以，频率响应时间与载流子的有效寿命相当。 硅管的响应时间小于1μs ，即响应频率高达1MHz。 锗磁敏二极管的