第9讲材料凝固时晶核的形成和晶体的生长.doc

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第9讲材料凝固时晶核的形成和晶体的生长

第九讲 材料凝固时晶核的形成和晶体的生长 1.均匀形核 考点再现:对于临界晶核半径的推导在09年出国一道简答题,分值大概在8分左右,而在08年以前的考试中,这个题也是考察的常客。所以应该予以重视。过冷度、临界晶核形成功也是重要的概念,也曾出现在初试中。 考试要求:几个定义的记忆是一方面,最重要的是临界晶核半径的推导过程,一定要熟练。另外,这一部分有几个重要的公式,要记住公式的结论以及其代表的意义。 知识点 熔化潜热:由固相转变为液相时需吸收的能量。★★ 过冷度:理论凝固温度与实际凝固温度之差。★★★ 液态与固态吉布斯自由能与温度的关系。★★★ 我们都知道物质趋向于吉布斯自由能变小的方向发展,所以我们就很正常的理解融化和凝固现象了。由上图我们可以知道在低温范围内,固相的吉布斯自由能比较低,液相的吉布斯自由能比较高,这就说明在低温阶段固相是比较稳定的,而在高温范围内则相反,即液相的吉布斯自由能比较低,所以在高温范围内,液相时比较稳定的,在两条曲线的交点处,两者吉布斯自由能相同,这个温度也就是我们所称的熔点。 这个部分虽然是不能称得上是一个考点,但是我觉得这个点在未来是有可能考到的,因为现在命题教师出题的思路是偏向用我们所学的理论知识来解决实际的问题,这个是一个很好的切入点,所以大家还是要注意一下。 体吉布斯自由能差的计算公式 我们要记住这个公式,这个公式体现了体吉布斯自由能差与熔化潜热的关系,这个是天大内部划题老师所强调的,我们要理解,这个公式表明液态凝固时必须要有一定的过冷度,过冷度越大,体吉布斯自由能差的绝对值越大,凝固的驱动力也越大。 但是我们要注意,并不是低于Tm的任何温度液态转变为固态过程都会发生,液相中要有能形成固相的晶核,必须达到一定的临界过冷度。 上面的部分可以算是对一个公式的解析,也可以算是凝固过程发生的原因,这样的题如果命题老师出的话,恐怕会让很多人丢分的。 求临界形核半径★★★★★ 体系自由能的变化,主要有两方面影响,体积和表面积,随着半径的增加,体积变大,自由能降低,降低的数值为公式的第一项,而随着半径的增的,表面积增大,表面能增加,升高的数值就是上述公式的第二项,两者的加和就是体系总自由能的变化。所以就得到了晶核半径与体系总自由能的关系图: 由图可知,自由能是一个先增加后减小到饿过程,也就是说,如果在临界形核尺寸之前,形成了晶核,晶核要继续长大,半径要增大,自由能升高,所以这个过程不容易发生,相反的,形成的晶核更趋向于自由能降低的方向进行,即晶核尺寸减小,最后形成的晶核又溶解掉。而当新形成的晶核尺寸大于临界半径是,晶核的长大是以个自由能降低的过程,也就是一个自发的过程,我们要求出这个临界点,即临界晶核半径: 对于上述公式求导可得 这道题出现了不止一次了,每年都是一个重点要考察的内容,而且出题方式大致就是我所写的,这个算是一个标准答案吧,大家只要这样的去答题,这道题应该会得到满分的。 临界晶核形成功★★★ 我们只要了解这个公式就可以了,这个公式说明了临界晶核形成功等于表面能的1/3。 2.形核率 考点再现:激活能在10年以名词解释的形式出现,形核率在08年以前考察过,这两个都是重要的概念,命题老师可能会反复的考察。 考试要求:这一部分只有两个概念,需要熟记。 知识点 形核率:单位时间,单位体积中形成的晶核数。★★★ 扩散激活能:原子跃迁时,克服周围对其束缚的势垒。★★★ 3.非均匀形核 考点再现:非均匀形核为什么比均匀形核更容易这道题出过了许多次,也有很多人在这里丢分,就是因为没有答全,要将结构方面和能量方面都答出来才行。这个问题依旧是重点。 考试要求:作为简答题,要知道它的基本原理,知道每一部分的关键点在哪里,重在理解。 知识点 非均匀形核为什么比均匀形核更容易?★★★★★ (1)结构 过程如下:杂质→提供有利性和表面→减少界面能→形成功↓→过冷度↓→更容易 能量 ?G非=?G均S(θ) S(θ)=(2-3cosθ+cos3θ)/4 形状因子0≤S(θ)≤1 所以非均匀形核能比较低,比较容易形核。 非均匀形核与均匀形核关系 非均匀形核形核功减小,但是临界半径不变。依旧是 4.材料凝固时晶体的生长 考点再现这部分到目前为止还没有以简答形式出现在考试中,但是曾经以填空题的形式出现,记忆就可以。 考试要求:只要记住两种不同的生长方式就可以了,没有更多的要求。 知识点 温度梯度对晶体生长的影响?★★ 正温度梯度下,晶体生长按连续生长机制,呈平面式向液相中推进。在负温度梯度下,晶体呈树枝状向液体中生长。 同学们,以上就是第九讲的主要内容,最重要的考点是临界形核半径的计算和为什么非均匀形核比均匀形核容易,其他考点还有形核率,过冷度等概念,温度梯度对晶体

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