十八集成电路的工艺模拟和器件物理.ppt

第十八章 集成电路的工艺模拟和器件物理特性模拟 信息工程学院 李薇薇 liweiwei@hebut.edu.cn §18.1 工艺模拟的作用 工艺模拟是在给定的器件结构、工艺步骤和工艺参数的条件下求解半导体器件内部的结构变化及杂质分布，目前工艺模拟已成为半导体器件和集成电路工艺设计的一种重要工具。 目前的方法：将要分析的工艺过程列出数学形式的模型或者列出比较公认的经验公式，然后通过计算机进行数值求解，但它的有效性受到一定的限制，还是数值求解的方法好，可得得到精确的解。 §18.2 工艺模拟的求解方法 工艺模拟所要模拟的工艺过程有：氧化、扩散、离子注入、外延生长、高温或低温淀积、光到、腐蚀等。这些工序大致可分为两类： 一类是经过高温处理的，如氧化、扩散、外延、高温淀积等； 另一类是非高温处理的，如离子注入、低温淀积、光刻、腐蚀等。 1、杂质流的连续性方程 2、空间离散化和时间离散化 为了进行数值求解，首先要对连续性方程进行空间离散和时间离散。在空间离散化时，把求解空间沿x方向划分成若干个网格，每个网格中包含一个格点，相邻两格点的垂直等分线为该两个网格的分界线，整个结构的左右两端是半个网格，因而结构的两个边界正好落在格点上。 3、固定边界 §18.3 器件模拟的作用 半导体器件物理特性计算机仿真系统的功能 1、在用户给定的条件下，定量实施各类器件物理方程的数值求解。 条件：各结构层材料组分，物理层结构关系，各层杂质分布状态。 2、数值求解的结果将能够得到器件中各结构层间的电视分布电子空穴载流子浓度随位置参数间的分布关系。 3、获得各个器件物理参数在有源条件下与时间参量间的关系 4、可获得不同偏压条件和有源条件下器件的伏安特性和各种器件参数的动态变化。 §18.4 一维器件模拟 1、基本方程 器件模拟——根据一定的边界条件求解基本方程得到静电势Ψ，两种载流子（电子n和空穴p）在空间的分布及随时间的变化。 基本方程——泊松方程和载流子连续性方程 器件的基本方程为 2、基本方程的离散化 为了求得数值解，首先要对偏微分方程进行空间和时间的离散化。 我们可以把空间的离散化看作是在有限的求解空间中布上网格，然后用中心差分法把微分方程转换为差分方程。 3、边界条件 器件的边界通常包括欧姆接触、绝缘材料界面和反射边界 。 4、典型算法 目前求解非线性代数方程组的方法主要有两种： 一种为解耦法(或称Gummel法)，它是对泊松方程和连续性方程依次顺序求解，再重复循环直至收敛。 另一种为耦合法(或称Newton法)，它是将三个方程作为一个整体，并用牛顿—拉夫森法进行求解。 解耦法： 一种迭代法。由于它对三个方程分别求解，因而形成的系数矩阵其稀疏性较强，并可采用迭代算法求解线性方程组。例如采用高斯—塞得尔法、逐次超松弛法等。此外，它在单次迭代时所用的计算量和存储量部很少，这在一定程度上补偿了收敛速度较慢的缺点。 实际上半导体基本方程之间是相互招合的，应该作为一个整体同时求解，这就是采用耦合法的原因。 耦合法： 是一种有效和可靠的方法，它能求解小注入时的方程，也能适用于大注入条件，而且它的收敛速度很快(即有一次方的收敛速度)。 由于同时求解三个方程，所得到的系数矩阵其稀疏性较差，方程的求解通常采用高斯消去法、Lu分解法或不完全Cholesky共钝梯度(ICCG)法。 耦合法的缺点是每次迭代所用的计算量和存储量都较大，并且对初始值的要求很高，如初始值不合适，开始的几次迭代无法达到二次方的收敛速度，甚至会出现不收敛的现象。 §18.5 计算机仿真的依据 三组方程： 一维泊松方程； 一维电子和空穴连续性方程； 一维电子和空穴输运方程。 五个基本方程： (1) 一维泊松方程； (2) 一维电子连续性方程； (3) 一维空穴连续性方程； (4) 一维电子输运方程； (5) 一维空穴输运方程； * 工艺模拟结果送入器件模拟程序，在器件端电压的条件下产生伏安特性，通过半导体器件模型参数提取技术得到该特性对应的各模型参数值，再产生面向电路模拟的一套数据送入电路模拟程序，在电路连接关系和激励条件下得到电路的性能。 在一维情况下，杂质流的连续性方程可表示为： 杂质流的流向 其中F（x1）与F（x2）分别为流入x1截面与流出x2截面的杂质流。流向截面内部的杂质流这为正，流出截面的为负。如忽略产生损失项，式中也可写成 式中 也可写成 在固态中，杂质流由扩散流和漂移流两项所组成即 第二项对施主杂质为正，对受主杂质为负。D为扩散系数，E为电场强度，Ca为电学上有效的杂质浓度。由于扩散系数不是一个常数，而与杂质浓度、杂质带电状态有关，因此在固态中的杂质流连续性方程是一个非线性微分方程。 因此求解过程可分为两步：①在网格的每一格点求