第03章逻辑门电路试题.ppt

3.6 CMOS逻辑门电路 3.6.0 复习MOS管的有关知识 3.6.0 复习MOS管的有关知识 3.6.1 CMOS反相器 3.6.2 CMOS 门电路 * 3.6.1 CMOS反相器 3.6.2 CMOS门电路 3.6.3 BiCMOS门电路 3.6.4 CMOS传输门 3.6.5 CMOS逻辑门电路的技术参数 3.6.0 复习MOS管的有关知识 大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而TTL系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造工艺对高密度制作较之TTL相对容易，下面我们介绍MOS器件。 与双极性电路比较，MOS管的优点是功耗低，可达0.01mw，缺点是开关速度稍低。在大规模的集成电路中，主要采用的CMOS电路。 1. N沟道MOS管的结构 P型衬底 沟道区域 绝缘层 金属铝 VGS=0时，则D、S之间相当于两个PN结背向的串联， D、S之间不通，iD＝0。 3.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 反型层 （导电沟道） 当G、S间加上正电压，且VGSVT时，栅极与衬底之间形成电场，吸引衬底中的电子到栅极下面的衬底表面，形成一个N型的反型层－－构成D、S之间的导电沟道。 VT被称为MOS管的开启电压。 由于VGS ＝0时，无导电沟道，在增强VGS 电压后形成导电沟道，所以称这类MOS管为增强型MOS管。 P型衬底 3.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 反型层 （导电沟道） P型衬底 N沟道增强型MOS管具有以下特点： 当VGSVT 时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合 。 当VGSVT 时，管子截止，相当于开关断开； 同样，对P沟道增强型MOS管来说： 当|VGS| |VT|时，管子截止，相当于开关断开； 当|VGS| |VT|时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合。 1. CMOS反相器的工作原理 2. CMOS反相器的特点 3. CMOS反相器的传输特性 4. CMOS反相器的工作速度 1. CMOS反相器的工作原理 当vI = 0 V时 VDD 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =0 ＜ VTN TN管截止； |VGSP|=VDD＞VTP 电路中电流近似为零（忽略TN的截止漏电流）,VDD主要降落在TN上，输出为高电平VOH TP管导通。 ≈VDD 通 止 0V 当vI =VOH= VDD时 1. CMOS反相器的工作原理 VGSN =VDD VTN TN管导通； |VGSP|= 0 VTP TP管截止。 此时，VDD主要降在TP管上，输出为高电平VOL : 通 VOL 止 VDD 2. CMOS反相器的特点 因而CMOS反相器的静态功耗极小（微瓦数量级）。 TP和TN只有一个是工作的， 3. CMOS反相器的工作速度 v I =0V 在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。 平均延迟时间：10ns 小 i DN C L v O v I T P T N V DD vI =VDD 小 i DP C L v O v I T P T N V DD 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如图 每个输入端与一 个 NMOS管和一个PMOS管的栅极相连 当A和B为高电平时: 1 两个并联的PMOS管T3、T4 两个串联的NMOS T1、T2 通 通 止 止 0 1 0 1 通 止 通 1 止 当A和B有一个或一个以上为低电平时: 电路输出高电平 输出低电平 ? 电路实现“与非”逻辑功能 2. 或非门电路 1 当A、B全为低电平时 3.6.2 CMOS 门电路 0 0 输出为高电平时 2. 或非门电路 当输入端A、B都为高电平时， 当A、B全为低电平时， 3.6.2 CMOS 门电路 当A、B中有一个为高电平时 0 1 1 输出为高电平时 输出为低电平时 输出必为低电平时 3.6.3 CMOS OD门电路 3.6.4 CMOS 三态门电路 3.6.5 CMOS传输门 1. CMOS传输门电路 (TG) 是一种传输信号的可控开关，截止电阻107Ω，导通电阻几百Ω，所以是一个理想的开关。 结构对称，其漏极和源极可互换，它们的开启电压|VT|=2V 。 它广泛地用于采样?保持电路、 斩波电路、模数和数模转换电路等。 由互补的信号电压来控制，分别用C和 C 表示。 * * *