光电子能谱分析讲解.ppt

X射线光电子能谱分析 电子能谱分析概述 电子能谱分析是一种研究表层元素组成与离子状态的表面分析技术。 基本原理是用单色射线照射样品，使样品中的原子或离子的电子受激发射，然后测量这些电子的能量分布，从而判断样品表面原子或离子的组成和状态。 常见的电子能谱分析为：X射线光电子能谱（XPS）、俄歇电子能谱分析（AES）、紫外光电子能谱分析（UPS）。 光电效应 物质受光照射时放出电子的现象叫作光电效应，或光电离、光致发射。 原子中不同能级的电子具有不同的结合能，当具有一定能量的光子把能量传递给原子某壳层电子，若光子能量大于该电子结合能，该电子可以脱离原子并以一定速度逸出成为自由光电子。 光电效应截面σ用来表示一定能量的光子与原子作用时从某个能级激发出一个电子的几率。 光电效应截面σ影响规律 一般来说： 入射光子能量一定，同一原子中壳层半径越小，光电效应截面σ越大； 电子结合能与入射光子能量越接近，光电效应截面σ越大； 同一壳层电子，原子序数越大，光电效应截面σ越大。 光电效应截面σ越大，光电子的检测峰越强，影响光电效应截面σ的因素很多，也很复杂。 X射线光电子能谱分析测试原理 电子从光子获得能量，脱离原子并具有一定的动能，光子能量为已知，动能可以经过检测设备进行测定，从而计算出该电子的结合能，而不同原子的结合能不同，根据计算出的电子结合能判断原子的种类和状态。 Ek =hv－ Eb Ek － 电子动能 hv －光子能量 Eb －电子结合能 AlKα射线激发出的最强光电子线 原子序数 壳层 亚壳层 3～12 K 1s 13~33 L 2p 34~66 M 3d 67~ 71 N 4d 72~92 N 4f 电子结合能计算应注意的问题 电子的驰豫： 电子从原子中即发出去之后，留下一个空位，原子中其他电子受原子核吸引，将重新调整电子分布，该过程称为驰豫过程，时间与电子发射时间相当。弛豫过程对激发电子的动能有一定影响，精确计算时应查表修正。 X射线光电子能谱信息深度 XPS一般采用软X射线，多数采用Mg、Al作为X射线管的靶材，使用Kα射线。 考虑激发电子能量的衰减，（深度达到4λ时，光电子不到初始强度的2％）测试样品深度一般较浅，不超过10nm，即一般不超过3倍波长。 金属材料的测试深度一般在0.5～3nm，无机非金属材料一般2～4nm，有机材料一般4～10nm。 XPS设备构成 XPS的X射线激发源 X射线激发源主要指标：强度、线宽、射线波长 XPS所用的波长较长，主要用Mg、Al的Kα线。光子能量为（ Mg：1253.6eV，Al：1486.6eV ）线宽分别为0.7eV和0.9eV，分辨率要求高时，最好选用Mg为激发源。 射线源最好尽量靠近样品，提高X射线的剂量，射线源与样品之间安装箔片，防止X射线产生过程中逸出的电子对实验结果的影响。 Mg、Al作激发源可选用铝箔或铍箔。 样品室 样品室真空： 样品室必须高真空，以免产生的光电子与气体的分子或原子碰撞损失能量或产生二次电子，同时防止气体等在样品表面的吸附，影响测试结果。 电子能量分析器 电子能量分析器为核心部件，一般采用静电型能量分析器。 电子能量分析器工作原理 检测器工作原理 主要工作部件为电子倍增器，倍增器材料一般选择高铅玻璃或钛酸钡系陶瓷。 样品制备 无机材料样品制备常用方法： 溶剂清洗或真空处理 氩离子枪处理 擦磨、刮剥或研磨 真空加热 有机材料样品制备常用方法： 压片法 溶解法 研压法 X射线光电子能谱分析图 XPS扫描次数与测试结果的关系 XPS谱线为检测到的光电子