1、非接卡硬件设计注意事项及调试方法描述.pptx

非接读卡硬件设计注意事项 1、线圈设计 A、建议设计为方形 原因1：卡片线圈为长方形，便于元器件排布； 原因2：reader的线圈为方形能最大限度增大耦合面积，加强能量传递效率。 B、建议设计匝数不宜过多，2~3匝为宜 原因：匝数过多往往导致线圈电感量过大，难以调试；同时，由于读卡时距离近，极易造成读卡接收困难。 非接读卡硬件设计注意事项 1、线圈设计 C、线圈电感量维持在1uH为宜 原因：此时匹配的阻容值较大，能有较大范围的调节余地，这也是OBU非接线圈设计的经验值。 D、线圈面积可以不用太大 原因：由于OBU的reader一般是近距离读卡，因此耦合面积不用太大即可满足稳定的读卡需求；一般在应用中线圈尺寸大于 3cm x 3cm即可实现2cm距离内稳定读卡。尺寸大于2.5cm x 2.5cm即可实现1.5cm距离内稳定读卡。 注：目前OBU线圈一般都大于5.2cm x 2.5cm，而读卡距离一般在0.5cm以内，因此后续设计OBU线圈时可以尝试减小线圈面积。 非接读卡硬件设计注意事项 1、线圈设计 E、线圈品质因素设计在20~30为宜 原因：对于电感耦合式的天线．在其尺寸不变的情况下，品质因素Q值越大意味着天线线圈中的电流强度越大，输出功率越强，读写距离就越远。 与此同时，天线的传输带宽B与品质因数Q成反比。过高的品质因数将导致带宽缩小，降低读写器的调制边带信号幅度，导致读写器无法与卡片通信。环形天线与50 Ω的负载（reader）相连时，其Q值最好不超过30。 为了优化天线的性能。读写器匹配电路的驻波比应小于1:1.2。因此品质因素一般设计为20~30，可通过矢量网络分析仪测量。 非接读卡硬件设计注意事项 1、线圈设计 F、若reader收发端口为差分形式，则线圈最好设计为对称模式 实践证明，非对称式线圈与差分线圈无明显区别，依然受限于感抗和阻抗匹配，但仍然建议做成差分形式。 G、可尝试reader与线圈分开 即将芯片及芯片外围置于线圈天线之外，非接读卡芯片厂商有此建议，尚未尝试，在新OBU设计时可在此方面做些研究，据说聚利即采用此方式；需要注意的是，此方式下许多信号线需跨越线圈，存在受干扰的风险，新设计时须重点关注于此。 非接读卡硬件设计注意事项 2、reader模块布局布线 A、reader模块周围需留有一定范围的信号隔离区 即读卡模块四口需要有一定的空白区域，具体空多少未知，空得越多，那么其受干扰、干扰其他信号的强度会小得多；然而，由于OBU的小型化趋势明显，因此，不可能留有很大区域供reader模块挥霍，只能做到尽可能大些即可。 B、电源线与地线的走线位置尽量贴近 即在布线时尽量减小电源地回路间的面积，最好是采用并行走线的方式，这样能有效避免在电源与地之间出现来自线圈的耦合干扰。 非接读卡硬件设计注意事项 2、reader模块布局布线 C、注意晶体及其耦合电容位置的摆放 由于芯片驱动天线频率与晶体同频不同相位，且发射功率较大，所以建议特别注意晶体及其匹配电容的布局位置及噪声隔离。晶体匹配电容需靠近晶体且远离数字控制线，电源线等噪声源。 D、reader模块尽量远离其他频率上工作的外设 即在布线时，reader周围尽量不要有其他非13.56M的时钟线，如ESAM的4.5M时钟，同时也包括SPI本身，这样就要求在布线的过程中reader自身与MCU通信的数据线也要尽量远离线圈且较少与线圈平行走线的距离，与线圈走线垂直的信号线（包括电源、地）上耦合的13.56M高频分量要比平行走线时耦合的能量要小得多。 非接读卡硬件调试方法 1、非接读卡硬件组织形式 读卡线圈 并联电容Cp 为C307 C308 C312三个电容并联的等效电容值 串联电容Cs = C306 = C309 接收电路反馈分压电阻 Rr 包括R302和R304 非接读卡硬件调试方法 2、非接读卡调试困难的理论依据 A、接收端：卡片线圈不一致，造成能量耦合不一致，无法唤醒卡片或者是唤醒后卡片回复的能量超过reader接收动态范围，这也是造成部分卡片贴近reader读取不成功，一旦拿开一段距离后能够成功的原因； B、发射端：reader本身输出端口阻抗不固定，随着输出电流增加，输出阻抗也增加，将对天线匹配结果造成影响，从而影响对卡成功率； 非接读卡硬件调试方法 2、非接读卡调试之前的理论估算 主要需要知道线圈的电感量Lcoil、天线设计的品质因素Q、匹配的并联电容Cp、串联电容Cs和接收串联分压电阻Rr; 具体可参见以下文档——《SKY1301_天线匹配设计.xls》： 非接读卡硬件调试方法 2、实际调试过程中的几点经验和方法 影响1311/1301读卡的主要参数：发射场强、接收场强、谐振频率、读卡噪声。 A、发射端： 发射