2.1-三极管(结构,电流分配)描述.pptVIP

* * * * * * * * * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 1.输入特性 o iB/?A uBE/V UCE≥1 死区 死区电压： 硅管——0.5V 锗管——0.1V 正向导通压降UBE： 硅管——0.6~0.7V 锗管——0.2~0.3V UBE 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 2.输出特性 曲线族 饱和区 截止区 放 大 区 三个工作区： 1）截止区——IB=0以下的区域(IB0) 条件：发射结集电结均反偏。 特点： ICEO b）c、e之间相当于开关断开 a）IB≈0，IC= ICEO≈0； c e 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 曲线族 饱和区 截止区 放 大 区 2）饱和区——曲线直线上升部分 条件：发射结集电结均正偏。 特点： ICEO b） UCES≈0， UCES为饱和管压降 c e UCES c、e之间相当于开关闭合。 2.输出特性 三个工作区： 无放大作用 a） IB↑→IC基本不变； 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 曲线族 饱和区 截止区 放 大 区 3）放大区——曲线近似水平等距部分 条件：发射结正偏，集电结反偏。 特点： ICEO c）ΔICΔIB ，ΔIC=βΔIB a）uCE↑→ IC基本不变 b） IB↑→IC↑ UCES 2.输出特性 三个工作区： ΔIB ΔIC β—电流放大系数 ——控制 ——放大 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 * 2.1 半导体三极管 三、三极管的伏安特性 以共射接法为例 曲线族 饱和区 截止区 放 大 区 ICEO UCES ΔIB ΔIC 归纳： 1）三极管只有工作在放大区才具有 ΔIC=βΔIB 2）三极管是非线性元件。 3）三极管工作在截止区和饱和区时 电流放大作用。 具有开关作用。 截止： 饱和： c e c e * 2.1 半导体三极管 四、三极管的主要参数 1.电流放大系数 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 放 大 区 ICEO ΔIB ΔIC 注意：1）两者的概念不同。 2）两者的求法不同。 3）当曲线水平等距，且忽略ICEO时， 即，IC=βIB β的大小用来反映三极管的电流放大能力，但不宜过大。 共基直流电流放大系数和交流电流放大系数 ——了解 输入 输出 1 1 * 2.1 半导体三极管 四、三极管的主要参数 2.极间反向电流 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 放 大 区 ICEO ΔIB ΔIC 1）集-基极反向饱和电流ICBO ICBO 2）集-射极反向饱和电流ICEO （穿透电流） ICEO ICEO与ICBO的关系： ICEO=（1+β）ICBO ICBO的大小决定于少数载流子的浓度。 温度↑→少子数量↑→ ICBO↑→ ICEO↑ 极间反向电流的大小反映三极管的温度稳定性能，其值越小越好。 ——越小越好 射极开路 (IE=0) 基极开路(IB=0) * 2.1 半导体三极管 四、三极管的主要参数 3.极限参数 0 5 10 15 3 4 iC/mA uCE/V 2 1 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 5 1）集电极最大允许电流ICM 要求正常工作时，IC≤ICM 。 2）集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 指基极开路时，集电极与发射极之间的反向