模电CH2案例分析.ppt

双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子扩散 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 * * * * * * * * * * * * * * * * 表1 三极管的参数 参 数 型 号 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f? 半导体三极管图片 例1: 电路如图所示，已知UCC=6V， UBE=0.6V, RC=3kΩ, RB=10kΩ, 当UI= 3V，1V，-1V时，晶体管处于何种工作区？设三极管饱和时的管压降UCES=0V, β=25 。 解：先求出三极管饱和时的集电极电流： 三极管工作在截止区。 （饱和） （放大） §2.3 场效应半导体三极管 （1）场效应管的特点 1）压控器件：输入电压控制输出电流的半导体器件。 3）抗辐射能力强：因为是单极型器件（由一种载流子参与导电的半导体器件） 2）输入阻抗高 4）结构简单，便于集成 2.3.1 场效应管的特点和分类 1）结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 2）绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） （2）场效应管的分类及符号 绝缘栅型场效应三极管（MOSFET）分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 结型场效应三极管JFET分为 N沟道、P沟道 结型场效应管 P沟道 N沟道 绝缘栅型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 D(Drain)为漏极，相当c G(Gate)为栅极，相当b S(Source)为源极，相当e 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 (1)N沟道增强型MOSFET 它是一种左右对称的拓扑结构，是 在P型半导体上生成