- 1、本文档共18页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
(ydy)能带不连续性对asicsi(hit)异质结构光伏特性的影响
本文由888ronglin贡献
pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。
竺竺!兰竺兰翌:::!t!::兰!!t!!!兰垦竺竺兰竺竺竺竺墅。!l一
能带不连续性对a—Si/c—Si(HIT)异质结构 光伏特性的影响①
胡志华1,2廖,.g-4h1
>-1宏伟。 曾湘波1 徐艳月1 孔光临
1中国科学院半导体研究所,北京,100083
2云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092
摘要:本文报道了运用AMPS模拟程序对a SI:H,/c—Sj HIT(heterojunction
thin with
an
intrinsic
layer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对
光伏性能的影响,并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。为了解a—Si/c-Si界面的能带补
偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同
Gall
S等报道的试验结果也进行了比较。结果表明,只有在较小的导带补偿(~0.18 eV)和较
大的价带补偿(~0.5 eV)时,其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。
关键词:a—Si/c-Si HIT能带不连续性教值模拟
-/.
Abstract:This paper reports the numerical simulation of
a—Si/c Si heteru]unction solar cells
at
with
an
intrinsic
a
Si thin layer(HIT)by using
AMPS model.developed
on
Penn State
University.The effect of i-layer thickness and hand offset
photovohaic performances were
et
imresligated。and compared with experimental results reported by M.Tanaka
to
a1.In order
understand the band edge discontinu|ties
at
a—Si:H/c—Si interfaces。we also investigated
a
the voltage—and temperature—dependent spectral response(SR)of solar cells with
fixed
thickness(100 nm)of i-a—Si:H layer,and compared with the experimental results reported
by S.Gall
et
a1.It
a
is found that only by setting
a
large amount of valence hand offset
(~0.5 eV)and
smalj amount of conduction band offset(~0.18 eV)the HIT solar ceils
up
could reach high conversion efficiencies
to~23%and have SR consistent with the
reported experimental results.
Keywords:a Si/e—Si HIT
bandedge discontinuities
numerical simulation
性主要集中在导带;而Mimura和Hatanaka¨3报道
1前言
a
的结果却是导带不连续性很小,能带不连续性主要 集中在价带。
Si/c Si HIT异质结太阳电池同时兼有非晶
为了对这~问题有进一步的了织,我们运用
AMeSE”对不同能带构形和不同本征层厚度的HIT 太阳电池的伏安特性,以及固定本征层厚度(100nm) 下光谱响应对电压和温度的依赖关系进行了数值模 拟计算,并将计算结果同Tanaka M”1和Gall 等的试
文档评论(0)